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2020-2024年中國第三代半導體行業深度調研及投資前景預測報告

首次出版:2019年12月最新修訂:2020年7月交付方式:特快專遞(2-3天送達)

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報告目錄內容概述 定制報告

第一章 第三代半導體相關概述
1.1 第三代半導體基本介紹
1.1.1 基礎概念界定
1.1.2 主要材料簡介
1.1.3 歷代材料性能
1.1.4 產業發展意義
1.2 第三代半導體產業發展歷程分析
1.2.1 材料發展歷程
1.2.2 產業演進全景
1.2.3 產業轉移路徑
1.3 第三代半導體產業鏈構成及特點
1.3.1 產業鏈結構簡介
1.3.2 產業鏈圖譜分析
1.3.3 產業鏈生態體系
1.3.4 產業鏈體系分工
1.3.5 產業鏈聯盟建設
第二章 2018-2020年全球第三代半導體產業發展分析
2.1 2018-2020年全球第三代半導體產業運行狀況
2.1.1 國際產業格局
2.1.2 市場規模增長
2.1.3 市場結構分析
2.1.4 材料性能提高
2.1.5 研發項目規劃
2.1.6 應用領域格局
2.1.7 企業發展動態
2.1.8 企業發展布局
2.1.9 企業競爭格局
2.2 美國
2.2.1 研發支出規模
2.2.2 產業技術優勢
2.2.3 技術創新中心
2.2.4 技術研發動向
2.2.5 戰略層面部署
2.3 日本
2.3.1 產業發展計劃
2.3.2 研究成果豐碩
2.3.3 封裝技術聯盟
2.3.4 照明領域狀況
2.3.5 研究領先進展
2.4 歐盟
2.4.1 研發項目歷程
2.4.2 產業發展基礎
2.4.3 前沿企業格局
2.4.4 未來發展熱點
第三章 2018-2020年中國第三代半導體產業發展環境PEST分析
3.1 政策環境(Political)
3.1.1 中央部委政策支持
3.1.2 地方政府扶持政策
3.1.3 材料領域專項規劃
3.1.4 中美貿易摩擦影響
3.2 經濟環境(Economic)
3.2.1 宏觀經濟概況
3.2.2 工業運行情況
3.2.3 經濟轉型升級
3.2.4 未來經濟展望
3.3 社會環境(Social)
3.3.1 社會教育水平
3.3.2 知識專利水平
3.3.3 研發經費投入
3.3.4 技術人才儲備
3.4 技術環境(Technological)
3.4.1 專利技術構成
3.4.2 科技計劃專項
3.4.3 國際技術成熟
3.4.4 產業技術聯盟
第四章 2018-2020年中國第三代半導體產業發展分析
4.1 中國第三代半導體產業發展特點
4.1.1 企業以IDM模式為主
4.1.2 制備工藝不追求頂尖
4.1.3 襯底和外延是關鍵環節
4.1.4 各國政府高度重視發展
4.1.5 軍事用途導致技術禁運
4.2 2018-2020年中國第三代半導體產業發展運行綜述
4.2.1 產業發展現狀
4.2.2 產業整體產值
4.2.3 產線產能規模
4.2.4 產業供需狀態
4.2.5 產業標準規范
4.2.6 國產替代狀況
4.3 2018-2020年中國第三代半導體市場發展狀況分析
4.3.1 市場發展規模
4.3.2 細分市場結構
4.3.3 企業競爭格局
4.3.4 重點企業介紹
4.3.5 企業發展布局
4.3.6 產品發展動力
4.4 2018-2020年中國第三代半導體上游原材料市場發展分析
4.4.1 上游金屬硅產能擴張
4.4.2 上游金屬硅價格走勢
4.4.3 上游氧化鋅市場現狀
4.4.4 上游材料產業鏈布局
4.4.5 上游材料競爭狀況分析
4.5 中國第三代半導體產業發展問題分析
4.5.1 產業發展問題
4.5.2 市場推進難題
4.5.3 技術發展挑戰
4.5.4 城市競爭激烈
4.5.5 材料發展挑戰
4.6 中國第三代半導體產業發展建議及對策
4.6.1 產業發展建議
4.6.2 建設產業聯盟
4.6.3 加強企業培育
4.6.4 集聚產業人才
4.6.5 推動應用示范
4.6.6 材料發展思路
第五章 2018-2020年第三代半導體氮化鎵(GAN)材料及器件發展分析
5.1 GaN材料基本性質及制備工藝發展狀況
5.1.1 GaN產業鏈
5.1.2 GaN結構性能
5.1.3 GaN制備工藝
5.1.4 GaN材料類型
5.1.5 技術專利發展
5.1.6 技術發展趨勢
5.2 GaN材料市場發展概況分析
5.2.1 市場發展規模
5.2.2 材料價格走勢
5.2.3 應用市場結構
5.2.4 應用市場預測
5.2.5 市場競爭格局
5.3 GaN器件及產品研發情況
5.3.1 器件產品類別
5.3.2 GaN晶體管
5.3.3 射頻器件產品
5.3.4 GaN光電器件
5.3.5 電力電子器件
5.3.6 器件產品現狀
5.4 GaN器件應用領域及發展情況
5.4.1 電子電力器件應用
5.4.2 高頻功率器件應用
5.4.3 器件應用發展狀況
5.4.4 應用實現條件與對策
5.5 GaN器件發展面臨的挑戰
5.5.1 器件技術難題
5.5.2 電源技術瓶頸
5.5.3 風險控制建議
第六章 2018-2020年第三代半導體碳化硅(SIC)材料及器件發展分析
6.1 SiC材料基本性質與制備技術發展狀況
6.1.1 SiC性能特點
6.1.2 SiC制備工藝
6.1.3 SiC產品類型
6.1.4 單晶技術專利
6.1.5 制備技術布局
6.1.6 技術發展趨勢
6.2 SiC材料市場發展概況分析
6.2.1 材料價格走勢
6.2.2 材料市場規模
6.2.3 市場應用結構
6.2.4 市場競爭格局
6.2.5 企業研發布局
6.3 SiC器件及產品研發情況
6.3.1 電力電子器件
6.3.2 功率模塊產品
6.3.3 器件產品現狀
6.3.4 產品發展趨勢
6.4 SiC器件應用領域及發展情況
6.4.1 應用整體技術路線
6.4.2 電網應用技術路線
6.4.3 電力牽引應用技術路線
6.4.4 電動汽車應用技術路線
6.4.5 家用電器和消費類電子應用
第七章 2018-2020年第三代半導體其他材料發展狀況分析
7.1 Ⅲ族氮化物半導體材料發展分析
7.1.1 基礎概念介紹
7.1.2 材料結構性能
7.1.3 材料制備工藝
7.1.4 主要器件產品
7.1.5 應用發展狀況
7.1.6 發展建議對策
7.2 寬禁帶氧化物半導體材料發展分析
7.2.1 基本概念介紹
7.2.2 材料結構性能
7.2.3 材料制備工藝
7.2.4 主要應用器件
7.3 氧化鎵(Ga2O3)半導體材料發展分析
7.3.1 材料結構性能
7.3.2 材料制備工藝
7.3.3 主要技術發展
7.3.4 器件應用發展
7.3.5 未來發展趨勢
7.4 金剛石半導體材料發展分析
7.4.1 材料結構性能
7.4.2 襯底制備工藝
7.4.3 主要器件產品
7.4.4 應用發展狀況
7.4.5 未來發展前景
第八章 2018-2020年第三代半導體下游應用領域發展分析
8.1 第三代半導體下游產業應用領域發展概況
8.1.1 下游應用產業分布
8.1.2 下游產業優勢特點
8.1.3 下游產業需求旺盛
8.2 2018-2020年電子電力領域發展狀況
8.2.1 全球市場發展規模
8.2.2 國內市場發展規模
8.2.3 器件應用市場分布
8.2.4 應用市場發展規模
8.2.5 器件廠商布局分析
8.2.6 器件產品價格走勢
8.3 2018-2020年微波射頻領域發展狀況
8.3.1 射頻器件市場規模
8.3.2 射頻器件市場結構
8.3.3 射頻器件市場需求
8.3.4 射頻器件價格走勢
8.3.5 國防基站應用規模
8.4 2018-2020年半導體照明領域發展狀況
8.4.1 行業發展現狀
8.4.2 行業發展規模
8.4.3 應用市場分布
8.4.4 照明技術突破
8.4.5 照明發展方向
8.4.6 行業發展展望
8.5 2018-2020年半導體激光器發展狀況
8.5.1 市場規模現狀
8.5.2 企業發展格局
8.5.3 應用研發現狀
8.5.4 主要技術分析
8.5.5 未來發展趨勢
8.6 2018-2020年5G新基建領域發展狀況
8.6.1 5G建設進程
8.6.2 應用市場規模
8.6.3 賦能射頻產業
8.6.4 應用發展方向
8.6.5 產業發展展望
8.7 2018-2020年新能源汽車領域發展狀況
8.7.1 行業市場規模
8.7.2 應用市場規模
8.7.3 企業布局情況
8.7.4 市場需求預測
第九章 2018-2020年第三代半導體材料產業區域發展分析
9.1 2018-2020年第三代半導體產業區域發展概況
9.1.1 產業區域分布
9.1.2 重點區域建設
9.2 京津翼地區第三代半導體產業發展分析
9.2.1 北京產業發展狀況
9.2.2 順義產業扶持政策
9.2.3 保定產業項目動態
9.2.4 應用聯合創新基地
9.2.5 區域未來發展趨勢
9.3 中西部地區第三代半導體產業發展分析
9.3.1 四川產業發展狀況
9.3.2 重慶相關領域態勢
9.3.3 陜西產業項目規劃
9.4 珠三角地區第三代半導體產業發展分析
9.4.1 廣東產業發展政策
9.4.2 深圳產業發展狀況
9.4.3 東莞基地發展建設
9.4.4 區域未來發展趨勢
9.5 華東地區第三代半導體產業發展分析
9.5.1 江蘇產業發展概況
9.5.2 蘇州產業聯盟聚集
9.5.3 山東產業布局動態
9.5.4 福建產業支持政策
9.5.5 區域未來發展趨勢
9.6 第三代半導體產業區域發展建議
9.6.1 提高資源整合效率
9.6.2 補足SiC領域短板
9.6.3 開展關鍵技術研發
9.6.4 鼓勵地方加大投入
第十章 2017-2020年第三代半導體產業重點企業經營狀況分析
10.1 三安光電股份有限公司
10.1.1 企業發展概況
10.1.2 業務布局動態
10.1.3 經營效益分析
10.1.4 業務經營分析
10.1.5 財務狀況分析
10.1.6 核心競爭力分析
10.1.7 公司發展戰略
10.1.8 未來前景展望
10.2 北京賽微電子股份有限公司
10.2.1 企業發展概況
10.2.2 業務發展布局
10.2.3 經營效益分析
10.2.4 業務經營分析
10.2.5 財務狀況分析
10.2.6 核心競爭力分析
10.2.7 公司發展戰略
10.2.8 未來前景展望
10.3 華潤微電子有限公司
10.3.1 企業發展概況
10.3.2 業務發展布局
10.3.3 經營效益分析
10.3.4 業務經營分析
10.3.5 財務狀況分析
10.3.6 核心競爭力分析
10.3.7 公司發展戰略
10.3.8 未來前景展望
10.4 湖北臺基半導體股份有限公司
10.4.1 企業發展概況
10.4.2 經營效益分析
10.4.3 業務經營分析
10.4.4 財務狀況分析
10.4.5 核心競爭力分析
10.4.6 公司發展戰略
10.4.7 未來前景展望
10.5 華燦光電股份有限公司
10.5.1 企業發展概況
10.5.2 經營效益分析
10.5.3 業務經營分析
10.5.4 財務狀況分析
10.5.5 核心競爭力分析
10.5.6 公司發展戰略
10.5.7 未來前景展望
10.6 聞泰科技股份有限公司
10.6.1 企業發展概況
10.6.2 業務發展狀況
10.6.3 經營效益分析
10.6.4 業務經營分析
10.6.5 財務狀況分析
10.6.6 核心競爭力分析
10.6.7 公司發展戰略
10.6.8 未來前景展望
10.7 株洲中車時代電氣股份有限公司
10.7.1 企業發展概況
10.7.2 企業業務動態
10.7.3 2017年企業經營狀況分析
10.7.4 2018年企業經營狀況分析
10.7.5 2019年企業經營狀況分析
第十一章 中投顧問對第三代半導體產業投資價值綜合評估
11.1 行業投資背景
11.1.1 行業投資現狀
11.1.2 投資項目分布
11.1.3 投資市場周期
11.1.4 行業投資機會
11.1.5 行業投資前景
11.2 行業投融資情況
11.2.1 國際投資案例
11.2.2 國內投資案例
11.2.3 國際企業并購
11.2.4 國內企業并購
11.2.5 投資項目動態
11.3 行業投資壁壘
11.3.1 技術壁壘
11.3.2 資金壁壘
11.3.3 貿易壁壘
11.4 行業投資風險
11.4.1 企業經營風險
11.4.2 技術迭代風險
11.4.3 行業競爭風險
11.4.4 產業政策變化風險
11.5 行業投資建議
11.5.1 積極把握5G通訊市場機遇
11.5.2 收購企業實現關鍵技術突破
11.5.3 關注新能源汽車催生需求
11.5.4 國內企業向IDM模式轉型
11.5.5 加強高校與科研院所合作
11.6 投資項目案例
11.6.1 項目基本概述
11.6.2 投資價值分析
11.6.3 建設內容規劃
11.6.4 資金需求測算
11.6.5 實施進度安排
11.6.6 經濟效益分析
第十二章 2020-2024年中投顧問對第三代半導體產業前景與趨勢預測
12.1 第三代半導體未來發展趨勢
12.1.1 產業成本趨勢
12.1.2 未來發展趨勢
12.1.3 應用領域趨勢
12.2 第三代半導體未來發展前景
12.2.1 重要發展窗口期
12.2.2 產業應用前景
12.2.3 產業發展機遇
12.2.4 產業市場機遇
12.2.5 產業發展展望
12.3 中投顧問對2020-2024年中國第三代半導體行業預測分析
12.3.1 2020-2024年中國第三代半導體行業影響因素分析
12.3.2 2020-2024年中國第三代半導體材料市場規模預測
附錄
附錄一:關于促進中關村順義園第三代半導體等前沿半導體產業創新發展的若干措施
附錄二:“十三五”材料領域科技創新專項規劃

圖表目錄

圖表1 不同半導體材料性能比較(一)
圖表2 不同半導體材料性能比較(二)
圖表3 碳化硅、氮化鎵的性能優勢
圖表4 半導體材料發展歷程及現狀
圖表5 第三代半導體產業演進示意圖
圖表6 第三代半導體產業鏈
圖表7 第三代半導體襯底制備流程
圖表8 第三代半導體產業鏈全景圖
圖表9 第三代半導體健康的產業生態體系
圖表10 中國第三代半導體產業技術創新戰略聯盟成員(一)
圖表11 中國第三代半導體產業技術創新戰略聯盟成員(二)
圖表12 中國第三代半導體產業技術創新戰略聯盟成員(三)
圖表13 世界各國第三代半導體產業布局
圖表14 2016-2018年全球第三代半導體材料市場規模與增長
圖表15 2018年全球第三代半導體材料市場結構
圖表16 2018年各國/組織第三代半導體領域研發項目(一)
圖表17 2018年各國/組織第三代半導體領域研發項目(二)
圖表18 2018年各國/組織第三代半導體領域研發項目(三)
圖表19 全球第三代半導體產業格局
圖表20 國際重點企業在第三代半導體領域的布局進展(一)
圖表21 國際重點企業在第三代半導體領域的布局進展(二)
圖表22 美國下一代功率電子技術國家制造業創新中心組成成員(一)
圖表23 美國下一代功率電子技術國家制造業創新中心組成成員(二)
圖表24 日本下一代功率半導體封裝技術開發聯盟成員(一)
圖表25 日本下一代功率半導體封裝技術開發聯盟成員(二)
圖表26 歐洲LAST POWER產學研項目成員
圖表27 2018年國家部委關于集成電路產業的扶持政策匯總(一)
圖表28 2018年國家部委關于集成電路產業的扶持政策匯總(二)
圖表29 2019年國家部委關于第三代半導體的產業政策
圖表30 2018年各地半導體產業支持政策匯總(一)
圖表31 2018年各地半導體產業支持政策匯總(二)
圖表32 2019年部分重點第三代半導體產業發展政策匯總(一)
圖表33 2019年部分重點第三代半導體產業發展政策匯總(二)
圖表34 2018年中美互加關稅統計
圖表35 美國對我國加征關稅重點產品類別規模分布
圖表36 2018年美國限制關鍵技術和產品出口列表序號
圖表37 2015-2019年國內生產總值及其增長速度
圖表38 2015-2019年三次產業增加值占國內生產總值比重
圖表39 2020年GDP初步核算數據
圖表40 2018年規模以上工業增加至同比增長速度
圖表41 2018年規模以上工業生產主要數據
圖表42 2018-2019年規模以上工業增加值增速(月度同比)
圖表43 2019年規模以上工業企業主要財務指標(分行業)
圖表44 2019-2020年各月累計營業收入與利潤總額同比增速
圖表45 2019-2020年各月累計利潤率與每百元營業收入中的成本
圖表46 2020年分經濟類型營業收入與利潤總額增速
圖表47 2020年規模以上工業企業主要財務指標
圖表48 2020年規模以上工業企業經濟效益指標
圖表49 2020年規模以上工業企業主要財務指標(分行業)
圖表50 2014-2018年普通本專科、中等職業教育及普通高中招生人數
圖表51 2015-2019年普通本專科、中等職業教育及普通高中招生人數
圖表52 2015-2019年研究與試驗發展(R&D)經費支出及其增長速度
圖表53 2019年專利申請、授權和有效專利情況
圖表54 國內高校、研究所與企業的技術合作與轉化
圖表55 2019年第三代半導體領域全球專利技術構成
圖表56 2018年度國家重點研發計劃重點專項
圖表57 2019年正在實施的第三代半導體國家重點研發計劃重點專項
圖表58 2018年8英寸Si基GaN外延片及器件研發進展
圖表59 第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)
圖表60 全球推動第三代半導體產業和技術發展的國家計劃
圖表61 《中國制造2025》第三代半導體相關發展目標
圖表62 中方收購國外半導體企業情況
圖表63 2016-2019年我國GaN微波射頻產業產值
圖表64 2016-2019年我國SiC、GaN電力電子產業產值
圖表65 2018年國際第三代半導體企業擴產情況(一)
圖表66 2018年國際第三代半導體企業擴產情況(二)
圖表67 2016-2018年中國第三代半導體材料市場規模與增長
圖表68 2018年中國第三代半導體材料市場結構
圖表69 襯底研發重點企業盤點
圖表70 國內部分涉及第三代半導體上市公司的產業布局情況(一)
圖表71 國內部分涉及第三代半導體上市公司的產業布局情況(二)
圖表72 國內金屬硅新增產能明細
圖表73 2015-2021年中國金屬硅產能趨勢及預測
圖表74 2015-2021年中國金屬硅產量趨勢及預測
圖表75 2015-2021年全球金屬硅產量趨勢及預測
圖表76 2018-2020年金屬硅價格走勢情況
圖表77 主要的國際競爭廠商(一)
圖表78 主要的國際競爭廠商(二)
圖表79 主要的國際競爭廠商(三)
圖表80 國內氮化鎵產業鏈主要企業
圖表81 GaN產業鏈
圖表82 GaN原子結構
圖表83 典型GaN HEMT結構
圖表84 GaN制備流程
圖表85 HVPE系統示意圖
圖表86 GaN外延生長常用方法示意圖
圖表87 氮化鎵制備技術專利發展路線
圖表88 氮化鎵外延技術專利發展路線
圖表89 2019-2030年我國第三代半導體GaN材料關鍵技術發展路線表
圖表90 2016-2018年中國GaN襯底市場規模與增長
圖表91 2019-2021年中國GaN襯底市場規模與增長預測
圖表92 2018年中國GaN襯底市場應用結構
圖表93 2019-2021年中國GaN襯底市場產品結構及預測
圖表94 GaN功率器件應用領域與市場份額
圖表95 GaN襯底產品相關企業布局
圖表96 GaN外延產品相關企業布局
圖表97 GaN器件/模塊/IDM產品相關企業布局(一)
圖表98 GaN器件/模塊/IDM產品相關企業布局(二)
圖表99 GaN器件/模塊/IDM產品相關企業布局(三)
圖表100 GaN半導體器件類別及應用
圖表101 GaN器件主要產品
圖表102 Cascode GaN晶體管
圖表103 EPC的電氣參數
圖表104 LGA封裝示意圖
圖表105 國際上已經商業化的RF GaN HEMT性能
圖表106 2018年國際企業推出GaN射頻晶體管產品
圖表107 國際上已經商業化的RF GaN功率放大器性能
圖表108 國際主流廠商商業化RF GaN功率放大器性能(@中國5G頻段)
圖表109 2018年國際企業推出GaN射頻模塊產品(一)
圖表110 2018年國際企業推出GaN射頻模塊產品(二)
圖表111 2019年國際企業推出的GaN射頻產品
圖表112 國際上已經商業化的Si基GaN HEMT電力電子器件性能
圖表113 2018年國際企業推出GaN電力電子器件產品(一)
圖表114 2018年國際企業推出GaN電力電子器件產品(二)
圖表115 幾款主流的GaN HEMT產品的導通電阻情況
圖表116 2019年國際企業推出的部分GaN HEMT電力電子產品
圖表117 分布式服務器電源系統結構圖
圖表118 實驗樣機主電路結構
圖表119 實驗樣機照片
圖表120 隨負載變化的效率曲線
圖表121 有源鉗位反激變換器電路
圖表122 激光雷達脈沖寬度對距離測量分辨率的影響
圖表123 Si和GaN器件驅動的激光雷達成像分辨率對比圖
圖表124 恒定電壓供電方式的典型波形
圖表125 包絡線跟隨供電方式的典型波形
圖表126 ET技術的原理框圖
圖表127 DBC方式的硅基器件的熱阻發展趨勢
圖表128 2020年GaN器件產品電壓范圍占比預測
圖表129 SiC生長爐爐體示意圖
圖表130 液相生長法熔具結構圖
圖表131 碳化硅單晶生長技術專利發展路線
圖表132 碳化硅制備技術全球、美國和中國的專利申請量趨勢
圖表133 碳化硅制備技術各技術分支主要國家/地區專利布局對比
圖表134 2019-2030年我國第三代半導體SiC材料關鍵技術發展路線表
圖表135 2016-2018年中國SiC襯底市場規模與增長
圖表136 2019-2021年中國SiC襯底市場規模與增長預測
圖表137 2018年中國SiC襯底市場應用結構
圖表138 2019-2021年中國SiC襯底市場產品結構預測
圖表139 SiC襯底產品相關企業布局
圖表140 SiC外延產品相關企業布局
圖表141 SiC器件/模塊/IDM產品相關企業布局(一)
圖表142 SiC器件/模塊/IDM產品相關企業布局(二)
圖表143 英飛凌第三代半導體材料各技術分支專利主題布局
圖表144 碳化硅電力電子器件分類
圖表145 各國重要企業的SiC電子電力器件產品
圖表146 國際上已經商業化的SiC肖特基二極管的器件性能
圖表147 2018年國際企業推出的SiC二極管產品
圖表148 國際上已經商業化的SiC晶體管的器件性能
圖表149 2018年國際企業推出的SiC晶體管產品(一)
圖表150 2018年國際企業推出的SiC晶體管產品(二)
圖表151 2019年國際企業推出的部分SiC器件產品(SBD/MOSFET)
圖表152 2018年國際企業推出全SiC功率模塊產品(一)
圖表153 2018年國際企業推出全SiC功率模塊產品(二)
圖表154 2019年國際企業推出的部分SiC模塊產品
圖表155 2020-2048年SiC器件在電網應用的技術路線
圖表156 2020-2048年電力電子變壓器(PET)發展預測
圖表157 2020-2048年靈活交流輸電裝置(FACTS)發展預測
圖表158 2020-2048年光伏逆變器發展預測
圖表159 2020-2048年采用SiC器件的光伏逆變器市場占比預測
圖表160 2020-2048年固態開關發展預測
圖表161 2018-2050年各類別車輛規模的預測
圖表162 2018-2050年各類別應用裝置規模的預測
圖表163 2018-2050年應用裝置的功率密度預測
圖表164 2018-2050年應用裝置的工作效率預測
圖表165 2018-2050年各種電力電子器件的預測
圖表166 2018-2048年車載OBC和非車載充電樁的效率提升預測
圖表167 三電平拓撲
圖表168 2018-2048年車載和非車載的換流器開關頻率提升預測
圖表169 Si IGBT和SiC MOSFET控制器效率對比
圖表170 對車載和非車載的器件要求
圖表171 2018-2025年SiC器件的封裝預測
圖表172 2020-2048年電動汽車電機驅動采用SiC器件發展預測
圖表173 2020-2048年電動汽車無線充電設施采用SiC器件發展預測
圖表174 家用消費類電子產品的分類
圖表175 適配器電源產品的能效等級要求
圖表176 歐美主要國家強制實施的能效等級要求
圖表177 不同家用電子產品耗電量分布圖
圖表178 空調電氣控制系統應用框圖
圖表179 開通電壓/電流波形對比
圖表180 SiC混合功率模塊開關損耗對比
圖表181 2000-2030年功率模塊未來發展趨勢
圖表182 2020-2048年家用電器和消費類電子采用SiC功率模塊發展預測
圖表183 氮化鋁晶體結構及晶須
圖表184 氮化鋁陶瓷基板的性能優勢
圖表185 InGaZnO4晶體結構
圖表186 β-Ga2O3功率器件與其他主要半導體功率器件的理論性能極限
圖表187 金剛石結構
圖表188 金剛石與其他半導體材料特性總結
圖表189 2025第三代半導體材料發展目標
圖表190 2017-2023年SiC vs GaN vs Si在電力電子領域滲透率情況
圖表191 2015-2024年中國SiC、GaN電力電子器件應用市場規模
圖表192 2019年我國SiC、GaN電力電子器件應用市場分布
圖表193 2017-2019年SiC SBD的平均價格
圖表194 2018-2019年不同制造商SiC SBD產品價格對比單位(元/A)
圖表195 2018-2019年SiC、GaN晶體管的平均價格
圖表196 2019年國外商業化的SiC晶體管價格
圖表197 2019年國外商業化的Si基GaN HEMT電力電子器件價格
圖表198 2015-2023年我國GaN射頻器件應用市場規模預估
圖表199 2019年我國GaN射頻器件各細分市場規模占比
圖表200 2017-2023年全球GaN射頻器件需求量預測
圖表201 2017-2019年RF GaN HEMT的平均價格走勢
圖表202 LED產業鏈結構
圖表203 2019年中國半導體照明應用領域分布
圖表204 2013-2019年中國半導體激光器市場規模及增長情況
圖表205 半導體激光器細分應用領域
圖表206 2019年全球5G建設進展
圖表207 2020年四大主設備商的5G合同及5G基站發貨量進展
圖表208 2016-2020年中國新能源汽車產量走勢
圖表209 2016-2020年中國新能源汽車銷量走勢
圖表210 2019年車用第三代半導體領域的國際企業合作動態
圖表211 中國車載IGBT市場規模測算
圖表212 第三代半導體材料企業區域分布
圖表213 2019年國內第三代半導體集聚區建設進展(一)
圖表214 2019年國內第三代半導體集聚區建設進展(二)
圖表215 2019年國內第三代半導體集聚區建設進展(三)
圖表216 2016-2019年北京第三代半導體相關政策
圖表217 2010-2018年四川第三代半導體相關政策
圖表218 2014-2019年重慶第三代半導體相關政策
圖表219 2016-2018年廣州市集成電路的專項政策
圖表220 2015-2019年江蘇第三代半導體相關政策
圖表221 2015-2019年福建第三代半導體相關政策
圖表222 2017-2020年三安光電股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表223 2017-2020年三安光電股份有限公司營業收入及增速
圖表224 2017-2020年三安光電股份有限公司凈利潤及增速
圖表225 2019年三安光電股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表226 2017-2020年三安光電股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表227 2017-2020年三安光電股份有限公司凈資產收益率
圖表228 2017-2020年三安光電股份有限公司短期償債能力指標
圖表229 2017-2020年三安光電股份有限公司資產負債率水平
圖表230 2017-2020年三安光電股份有限公司運營能力指標
圖表231 2017-2020年北京賽微電子股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表232 2017-2020年北京賽微電子股份有限公司營業收入及增速
圖表233 2017-2020年北京賽微電子股份有限公司凈利潤及增速
圖表234 2018-2019年北京賽微電子股份有限公司營業收入分行業、產品、地區
圖表235 2017-2020年北京賽微電子股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表236 2017-2020年北京賽微電子股份有限公司凈資產收益率
圖表237 2017-2020年北京賽微電子股份有限公司短期償債能力指標
圖表238 2017-2020年北京賽微電子股份有限公司資產負債率水平
圖表239 2017-2020年北京賽微電子股份有限公司運營能力指標
圖表240 2017-2020年華潤微電子有限公司總資產及凈資產規模
圖表241 2017-2020年華潤微電子有限公司營業收入及增速
圖表242 2017-2020年華潤微電子有限公司凈利潤及增速
圖表243 2019年華潤微電子有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表244 2017-2020年華潤微電子有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表245 2017-2020年華潤微電子有限公司凈資產收益率
圖表246 2017-2020年華潤微電子有限公司短期償債能力指標
圖表247 2017-2020年華潤微電子有限公司資產負債率水平
圖表248 2017-2020年華潤微電子有限公司運營能力指標
圖表249 2017-2020年湖北臺基半導體股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表250 2017-2020年湖北臺基半導體股份有限公司營業收入及增速
圖表251 2017-2020年湖北臺基半導體股份有限公司凈利潤及增速
圖表252 2018-2019年湖北臺基半導體股份有限公司營業收入分行業、產品、地區
圖表253 2017-2020年湖北臺基半導體股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表254 2017-2020年湖北臺基半導體股份有限公司凈資產收益率
圖表255 2017-2020年湖北臺基半導體股份有限公司短期償債能力指標
圖表256 2017-2020年湖北臺基半導體股份有限公司資產負債率水平
圖表257 2017-2020年湖北臺基半導體股份有限公司運營能力指標
圖表258 2017-2020年華燦光電股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表259 2017-2020年華燦光電股份有限公司營業收入及增速
圖表260 2017-2020年華燦光電股份有限公司凈利潤及增速
圖表261 2018-2019年華燦光電股份有限公司營業收入分行業、產品、地區
圖表262 2017-2020年華燦光電股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表263 2017-2020年華燦光電股份有限公司凈資產收益率
圖表264 2017-2020年華燦光電股份有限公司短期償債能力指標
圖表265 2017-2020年華燦光電股份有限公司資產負債率水平
圖表266 2017-2020年華燦光電股份有限公司運營能力指標
圖表267 2017-2020年聞泰科技股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表268 2017-2020年聞泰科技股份有限公司營業收入及增速
圖表269 2017-2020年聞泰科技股份有限公司凈利潤及增速
圖表270 2019年聞泰科技股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表271 2017-2020年聞泰科技股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表272 2017-2020年聞泰科技股份有限公司凈資產收益率
圖表273 2017-2020年聞泰科技股份有限公司短期償債能力指標
圖表274 2017-2020年聞泰科技股份有限公司資產負債率水平
圖表275 2017-2020年聞泰科技股份有限公司運營能力指標
圖表276 2016-2017年中車時代電氣綜合收益表
圖表277 2016-2017年中車時代電氣分部資料
圖表278 2016-2017年中車時代電氣收入分地區資料
圖表279 2017-2018年中車時代電氣綜合收益表
圖表280 2017-2018年中車時代電氣分部資料
圖表281 2017-2018年中車時代電氣收入分地區資料
圖表282 2018-2019年中車時代電氣綜合收益表
圖表283 2018-2019年中車時代電氣分部資料
圖表284 2018-2019年中車時代電氣收入分地區資料
圖表285 2017-2019年SiC和GaN投資情況
圖表286 2015-2019年各區域項目投資分布情況
圖表287 2019年部分國際企業投資擴產情況
圖表288 2017-2019年國內企業投資案例
圖表289 2019年國內部分重點第三代半導體領域投資項目
圖表290 2018年國際第三代半導體行業SiC和GaN領域并購情況(一)
圖表291 2018年國際第三代半導體行業SiC和GaN領域并購情況(二)
圖表292 2019年國際企業并購情況
圖表293 2019年國內部分重點第三代半導體領域并購項目
圖表294 SiC SBD工藝流程圖
圖表295 SiC MOSFET工藝流程圖
圖表296 擬購置主要設備清單
圖表297 裝修及配套設施投入資金表
圖表298 軟件投資明細表
圖表299 項目投資預算表(一)
圖表300 項目投資預算表(二)
圖表301 項目計劃時間表
圖表302 經濟效益測算表
圖表303 2016-2030年中國第三代半導體產業發展預測
圖表304 第三代半導體產業處于最佳窗口期
圖表305 中投顧問對2020-2024年中國第三代半導體材料市場規模預測

第三代半導體材料具有寬的禁帶寬度,高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,通常又被稱為寬禁帶半導體材料(禁帶寬度大于2.2ev),也稱為高溫半導體材料。第三代半導體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表。

目前全球有超過30家公司在電力電子領域擁有對SiC、GaN相關產品的生產、設計、制造與銷售能力,但市場上能夠批量穩定提供SiC、GaN產品的不超過1/3。呈現美國、歐洲、日本三足鼎立態勢。

2018年,在國內市場環境偏緊和國際形勢緊張的大背景下,我國第三代半導體產業繼續向前推進。2018年我國第三代半導體整體產值約為7423億元(包括半導體照明),較2017年同比增長近13%。在5G、新能源汽車、綠色照明等新興領域蓬勃發展以及國家政策大力扶持的雙重驅動力下,我國第三代半導體材料市場繼續保持高速增長,總體市場規模已達到6.0億元,同比增長47.3%。

2019年,我國SiC、GaN電力電子和微波射頻產值(供給)超過60億元,過去四年年均增速超過90%。其中,2019年我國SiC、GaN電力電子產值規模近24億元,同比增長84%;2019年我國GaN微波射頻產值規模近38億元,同比增長74%。

區域方面,我國第三代半導體產業發展初步形成了京津冀、長三角、珠三角、閩三角、中西部五大重點發展區域,其中,長三角集聚效應凸顯,占從2015年下半年至2018年底投資總額的64%。此外,北京、深圳、廈門、泉州、蘇州等代表性城市正在加緊部署、多措并舉、有序推進。

2017年科技部制定了《“十三五”材料領域科技創新專項規劃》,將“戰略先進電子材料”列為發展重點之一,以第三代半導體材料與半導體照明、新型顯示為核心,以大功率激光材料與器件、高端光電子與微電子材料為重點,推動跨界技術整合,搶占先進電子材料技術的制高點。2018年,包括北京、上海、深圳等超過13個地方政府出臺了支持半導體,特別是集成電路產業發展的產業政策,搶占半導體產業新一輪發展先機。2019年8月24日,由中關村科技園區、順義區人民政府聯合制定的《關于促進中關村順義園第三代半導體等前沿半導體產業創新發展的若干措施》正式發布。2020年5月18日,廣東省人民政府出臺的《關于培育發展戰略性支柱產業集群和戰略性新興產業集群的意見》(以下簡稱《意見》)提出,將積極發展第三代半導體芯片,加快推進EDA軟件國產化。2020年,8月4日,國務院發布《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》(國發〔2020〕8號)。這是首次將集成電路產業排在軟件產業前面,顯示出國家對集成電路產業扶持的力度和決心。

總體而言,我國第三代半導體技術和產業都取得較好進展,但在材料指標、器件性能等方面與國外先進水平仍存在一定差距,市場繼續被國際巨頭占據,國產化需求迫切。我國第三代半導體創新發展的時機已經成熟,處于重要窗口期。

中投產業研究院發布的《2020-2024年中國第三代半導體行業深度調研及投資前景預測報告》共十二章。首先介紹了第三代半導體行業的總體概況及全球行業發展形勢,接著分析了中國第三代半導體行業發展環境、市場總體發展狀況以及全國重要區域發展狀況。然后分別對第三代半導體產業的產業鏈相關行業、行業重點企業的經營狀況及行業項目案例投資進行了詳盡的透析。最后,報告對第三代半導體行業進行了投資分析并對行業未來發展前景進行了科學的預測。

本研究報告數據主要來自于國家統計局、商務部、工信部、中國海關總署、半導體行業協會、中投產業研究院、中投產業研究院市場調查中心以及國內外重點刊物等渠道,數據權威、詳實、豐富,同時通過專業的分析預測模型,對行業核心發展指標進行科學地預測。您或貴單位若想對第三代半導體產業有個系統深入的了解、或者想投資第三代半導體產業,本報告將是您不可或缺的重要參考工具。

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