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2020-2024年中國第三代半導體行業深度調研及投資前景預測報告

首次出版:2019年12月最新修訂:2019年12月交付方式:特快專遞(2-3天送達)

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報告目錄內容概述 定制報告

第一章 第三代半導體相關概述
1.1 第三代半導體基本介紹
1.1.1 基礎概念界定
1.1.2 主要材料簡介
1.1.3 歷代材料性能
1.1.4 產業發展意義
1.2 第三代半導體產業發展歷程分析
1.2.1 材料發展歷程
1.2.2 產業演進全景
1.2.3 產業轉移路徑
1.3 第三代半導體產業鏈構成及特點
1.3.1 產業鏈結構簡介
1.3.2 產業鏈圖譜分析
1.3.3 產業鏈生態體系
1.3.4 產業鏈體系分工
1.3.5 產業鏈聯盟建設
第二章 2018-2020年全球第三代半導體產業發展分析
2.1 2018-2020年全球第三代半導體產業運行狀況
2.1.1 國際產業格局
2.1.2 市場規模增長
2.1.3 市場結構分析
2.1.4 研發項目規劃
2.1.5 應用領域格局
2.2 美國
2.2.1 研發支出規模
2.2.2 產業技術優勢
2.2.3 技術創新中心
2.2.4 技術研發動向
2.2.5 戰略層面部署
2.3 日本
2.3.1 產業發展計劃
2.3.2 研究成果豐碩
2.3.3 封裝技術聯盟
2.3.4 照明領域狀況
2.3.5 研究領先進展
2.4 歐盟
2.4.1 研發項目歷程
2.4.2 產業發展基礎
2.4.3 前沿企業格局
2.4.4 未來發展熱點
第三章 2018-2020年中國第三代半導體產業發展環境PEST分析
3.1 政策環境(Political)
3.1.1 中央部委政策支持
3.1.2 地方政府扶持政策
3.1.3 材料領域專項規劃
3.1.4 貿易關稅摩擦影響
3.2 經濟環境(Economic)
3.2.1 宏觀經濟概況
3.2.2 工業運行情況
3.2.3 經濟轉型升級
3.2.4 未來經濟展望
3.3 社會環境(Social)
3.3.1 社會教育水平
3.3.2 人口規模與構成
3.3.3 產業結構演進
3.3.4 技術人才儲備
3.4 技術環境(Technological)
3.4.1 專利技術構成
3.4.2 科技計劃專項
3.4.3 國際技術成熟
3.4.4 產業技術聯盟
第四章 2018-2020年中國第三代半導體產業發展分析
4.1 中國第三代半導體產業發展特點
4.1.1 企業以IDM模式為主
4.1.2 制備工藝不追求頂尖
4.1.3 襯底和外延是關鍵環節
4.1.4 各國政府高度重視發展
4.1.5 國際龍頭企業加緊布局
4.1.6 軍事用途導致技術禁運
4.2 2018-2020年中國第三代半導體產業發展運行綜述
4.2.1 產業發展現狀
4.2.2 產業整體產值
4.2.3 產業產線規模
4.2.4 產業供需狀態
4.2.5 產業成本趨勢
4.2.6 產業應用前景
4.2.7 未來發展趨勢
4.3 2018-2020年中國第三代半導體市場發展狀況分析
4.3.1 市場發展規模
4.3.2 細分市場結構
4.3.3 企業競爭格局
4.3.4 重點企業介紹
4.3.5 產品發展動力
4.4 2018-2020年中國第三代半導體上游原材料市場發展分析
4.4.1 上游金屬硅產能擴張
4.4.2 上游金屬硅價格走勢
4.4.3 上游氧化鋅市場需求
4.4.4 上游材料產業鏈布局
4.4.5 上游材料競爭狀況分析
4.5 中國第三代半導體產業發展問題分析
4.5.1 產業發展問題
4.5.2 市場推進難題
4.5.3 技術發展挑戰
4.5.4 城市競爭激烈
4.5.5 材料發展挑戰
4.6 中國第三代半導體產業發展建議及對策
4.6.1 建設產業聯盟
4.6.2 加強企業培育
4.6.3 集聚產業人才
4.6.4 推動應用示范
4.6.5 材料發展思路
第五章 2018-2020年第三代半導體氮化鎵(GaN)材料及器件發展分析
5.1 GaN材料基本性質及制備工藝發展狀況
5.1.1 GaN結構性能
5.1.2 GaN制備工藝
5.1.3 GaN材料類型
5.1.4 技術專利發展
5.1.5 技術發展趨勢
5.2 GaN材料市場發展概況分析
5.2.1 市場發展規模
5.2.2 材料價格走勢
5.2.3 應用市場結構
5.2.4 應用市場預測
5.2.5 市場競爭格局
5.3 GaN器件及產品研發情況
5.3.1 器件產品類別
5.3.2 GaN晶體管
5.3.3 射頻器件產品
5.3.4 射頻模塊產品
5.3.5 GaN光電器件
5.3.6 電力電子器件
5.4 GaN器件應用領域及發展情況
5.4.1 電子電力器件應用
5.4.2 高頻功率器件應用
5.4.3 器件應用發展狀況
5.4.4 應用實現條件與對策
5.5 GaN器件發展面臨的挑戰
5.5.1 器件技術難題
5.5.2 電源技術瓶頸
5.5.3 風險控制建議
第六章 2018-2020年第三代半導體碳化硅(SiC)材料及器件發展分析
6.1 SiC材料基本性質與制備技術發展狀況
6.1.1 SiC性能特點
6.1.2 SiC制備工藝
6.1.3 SiC產品類型
6.1.4 單晶技術專利
6.1.5 制備技術布局
6.2 SiC材料市場發展概況分析
6.2.1 材料價格走勢
6.2.2 材料市場規模
6.2.3 市場應用結構
6.2.4 市場競爭格局
6.2.5 企業研發布局
6.3 SiC器件及產品研發情況
6.3.1 器件產品現狀
6.3.2 電力電子器件
6.3.3 功率模塊產品
6.3.4 產品發展趨勢
6.4 SiC器件應用領域及發展情況
6.4.1 應用整體技術路線
6.4.2 電網應用技術路線
6.4.3 電力牽引應用技術路線
6.4.4 電動汽車應用技術路線
6.4.5 家用電器和消費類電子應用
第七章 2017-2019第三代半導體其他材料發展狀況分析
7.1 Ⅲ族氮化物半導體材料發展分析
7.1.1 基礎概念介紹
7.1.2 材料結構性能
7.1.3 材料制備工藝
7.1.4 主要器件產品
7.1.5 應用發展狀況
7.1.6 發展建議對策
7.2 寬禁帶氧化物半導體材料發展分析
7.2.1 基本概念介紹
7.2.2 材料結構性能
7.2.3 材料制備工藝
7.2.4 主要應用器件
7.3 氧化鎵(Ga2O3)半導體材料發展分析
7.3.1 材料結構性能
7.3.2 材料制備工藝
7.3.3 主要技術發展
7.3.4 器件應用發展
7.3.5 未來發展趨勢
7.4 金剛石半導體材料發展分析
7.4.1 材料結構性能
7.4.2 襯底制備工藝
7.4.3 主要器件產品
7.4.4 應用發展狀況
7.4.5 未來發展前景
第八章 2018-2020年第三代半導體下游應用領域發展分析
8.1 第三代半導體下游產業應用領域發展概況
8.1.1 下游產業結構布局
8.1.2 下游產業優勢特點
8.1.3 下游產業需求旺盛
8.2 2018-2020年電子電力領域發展狀況
8.2.1 全球市場發展規模
8.2.2 國內市場發展規模
8.2.3 器件市場分布狀況
8.2.4 器件廠商布局分析
8.2.5 器件產品價格走勢
8.2.6 應用市場發展規模
8.3 2018-2020年微波射頻領域發展狀況
8.3.1 射頻器件市場規模
8.3.2 射頻器件市場結構
8.3.3 射頻器件市場占比
8.3.4 射頻器件價格走勢
8.3.5 國防基站應用規模
8.3.6 移動通信基站帶動
8.3.7 軍用射頻器件市場
8.4 2018-2020年半導體照明領域發展狀況
8.4.1 行業發展現狀
8.4.2 行業發展規模
8.4.3 應用市場分布
8.4.4 應用發展趨勢
8.4.5 照明技術突破
8.4.6 照明發展方向
8.5 2018-2020年激光器與探測器應用發展狀況
8.5.1 市場規模現狀
8.5.2 應用研發現狀
8.5.3 激光器應用發展
8.5.4 探測器應用發展
8.5.5 未來發展趨勢
8.6 2018-2020年5G通訊領域發展狀況
8.6.1 市場發展規模
8.6.2 賦能射頻產業
8.6.3 應用發展方向
8.6.4 產業發展趨勢
8.7 2018-2020年新能源汽車領域發展狀況
8.7.1 行業市場規模
8.7.2 應用市場規模
8.7.3 市場需求預測
8.7.4 SiC應用示范
第九章 2018-2020年第三代半導體材料產業區域發展分析
9.1 2018-2020年第三代半導體產業區域發展概況
9.1.1 產業區域分布
9.1.2 重點區域建設
9.2 京津翼地區第三代半導體產業發展分析
9.2.1 北京產業政策扶持
9.2.2 北京產業基地發展
9.2.3 保定檢測平臺落地
9.2.4 應用聯合創新基地
9.2.5 區域未來發展趨勢
9.3 中西部地區第三代半導體產業發展分析
9.3.1 四川產業政策歷程
9.3.2 重慶相關領域態勢
9.3.3 陜西產業項目規劃
9.4 珠三角地區第三代半導體產業發展分析
9.4.1 廣東產業發展布局
9.4.2 深圳產業園區規劃
9.4.3 東莞基地發展建設
9.4.4 區域未來發展趨勢
9.5 華東地區第三代半導體產業發展分析
9.5.1 江蘇產業發展概況
9.5.2 蘇州產業聯盟聚集
9.5.3 山東產業布局動態
9.5.4 福建產業支持政策
9.5.5 區域未來發展趨勢
9.6 第三代半導體產業區域發展建議
9.6.1 提高資源整合效率
9.6.2 補足SiC領域短板
9.6.3 開展關鍵技術研發
9.6.4 鼓勵地方加大投入
第十章 2016-2019年第三代半導體產業重點企業經營狀況分析
10.1 三安光電
10.1.1 企業發展概況
10.1.2 業務經營分析
10.1.3 財務狀況分析
10.1.4 核心競爭力分析
10.1.5 公司發展戰略
10.1.6 未來前景展望
10.2 北京耐威科技
10.2.1 企業發展概況
10.2.2 業務經營分析
10.2.3 財務狀況分析
10.2.4 核心競爭力分析
10.2.5 公司發展戰略
10.2.6 未來前景展望
10.3 華潤微電子
10.3.1 企業發展概況
10.3.2 業務經營分析
10.3.3 財務狀況分析
10.3.4 核心競爭力分析
10.3.5 公司發展戰略
10.3.6 未來前景展望
10.4 湖北臺基半導體
10.4.1 企業發展概況
10.4.2 業務經營分析
10.4.3 財務狀況分析
10.4.4 核心競爭力分析
10.4.5 公司發展戰略
10.4.6 未來前景展望
10.5 無錫新潔能
10.5.1 企業發展概況
10.5.2 業務經營分析
10.5.3 財務狀況分析
10.5.4 核心競爭力分析
10.5.5 公司發展戰略
10.5.6 未來前景展望
10.6 華燦光電
10.6.1 企業發展概況
10.6.2 業務經營分析
10.6.3 財務狀況分析
10.6.4 核心競爭力分析
10.6.5 公司發展戰略
10.6.6 未來前景展望
第十一章 中投顧問對第三代半導體產業投資價值綜合評估
11.1 行業投資背景
11.1.1 行業投資現狀
11.1.2 投資市場周期
11.1.3 行業投資機會
11.1.4 行業投資前景
11.2 行業投融資情況
11.2.1 國際投資案例
11.2.2 國內投資案例
11.2.3 國際企業并購
11.2.4 國內企業并購
11.3 行業投資壁壘
11.3.1 技術壁壘
11.3.2 資金壁壘
11.3.3 貿易壁壘
11.4 行業投資風險
11.4.1 企業經營風險
11.4.2 技術迭代風險
11.4.3 行業競爭風險
11.4.4 產業政策變化風險
11.5 行業投資建議
11.5.1 積極把握5G通訊市場機遇
11.5.2 收購企業實現關鍵技術突破
11.5.3 關注新能源汽車催生需求
11.5.4 國內企業向IDM模式轉型
11.5.5 加強高校與科研院所合作
11.6 投資項目案例
11.6.1 項目基本概述
11.6.2 投資價值分析
11.6.3 建設內容規劃
11.6.4 資金需求測算
11.6.5 實施進度安排
11.6.6 經濟效益分析
第十二章 2020-2024年中投顧問對第三代半導體產業前景與趨勢預測
12.1 第三代半導體未來發展前景與趨勢
12.1.1 應用領域展望
12.1.2 產業發展機遇
12.1.3 重要發展窗口期
12.1.4 產業發展戰略
12.2 中投顧問對2020-2024年第三代半導體產業預測分析
12.2.1 2020-2024年中國第三代半導體影響因素分析
12.2.2 2020-2024年中國第三代半導體市場規模預測
12.2.3 2020-2024年中國第三代半導體市場結構預測
附錄
附錄一:關于促進中關村順義園第三代半導體等前沿半導體產業創新發展的若干措施
附錄二:“十三五”材料領域科技創新專項規劃

圖表目錄

圖表 不同半導體材料性能比較(一)
圖表 不同半導體材料性能比較(二)
圖表 碳化硅、氮化鎵的性能優勢
圖表 半導體材料發展歷程及現狀
圖表 第三代半導體產業演進示意圖
圖表 第三代半導體產業鏈
圖表 第三代半導體襯底制備流程
圖表 第三代半導體產業鏈全景圖
圖表 第三代半導體健康的產業生態體系
圖表 中國第三代半導體產業技術創新戰略聯盟成員(一)
圖表 中國第三代半導體產業技術創新戰略聯盟成員(二)
圖表 中國第三代半導體產業技術創新戰略聯盟成員(三)
圖表 世界各國第三代半導體產業布局
圖表 2016-2018年全球第三代半導體材料市場規模與增長
圖表 2018年全球第三代半導體材料市場結構
圖表 2018年各國/組織第三代半導體領域研發項目(一)
圖表 2018年各國/組織第三代半導體領域研發項目(二)
圖表 2018年各國/組織第三代半導體領域研發項目(三)
圖表 全球第三代半導體產業格局
圖表 美國下一代功率電子技術國家制造業創新中心組成成員(一)
圖表 美國下一代功率電子技術國家制造業創新中心組成成員(二)
圖表 日本下一代功率半導體封裝技術開發聯盟成員(一)
圖表 日本下一代功率半導體封裝技術開發聯盟成員(二)
圖表 歐洲LAST POWER產學研項目成員
圖表 2018年國家部委關于集成電路產業的扶持政策匯總(一)
圖表 2018年國家部委關于集成電路產業的扶持政策匯總(二)
圖表 2018年各地半導體產業支持政策匯總(一)
圖表 2018年各地半導體產業支持政策匯總(二)
圖表 2018年中美互加關稅統計
圖表 美國對我國加征關稅重點產品類別規模分布
圖表 2018年美國限制關鍵技術和產品出口列表序號
圖表 2014-2018年國內生產總值及其增長速度
圖表 2014-2018年三次產業增加值占國內生產總值比重
圖表 2019年中國GDP核算數據
圖表 2018年規模以上工業增加至同比增長速度
圖表 2018年規模以上工業生產主要數據
圖表 2018-2019年規模以上工業增加值同比增長速度
圖表 2019年規模以上工業生產主要數據
圖表 2013-2017年普通本專科、中等職業教育及普通高中招生人數
圖表 2014-2018年普通本專科、中等職業教育及普通高中招生人數
圖表 2017年年末人口數量及構成
圖表 國內高校、研究所與企業的技術合作與轉化
圖表 2019年第三代半導體領域全球專利技術構成
圖表 2018年度國家重點研發計劃重點專項
圖表 2018年8英寸Si基GaN外延片及器件研發進展
圖表 第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)
圖表 全球推動第三代半導體產業和技術發展的國家計劃
圖表 《中國制造2025》第三代半導體相關發展目標
圖表 2014-2017年第三代半導體行業重要并購案件
圖表 中方收購國外半導體企業情況
圖表 2018年我國SiC、GaN電力電子產業和微波射頻產業產值
圖表 2018年國際第三代半導體企業擴產情況(一)
圖表 2018年國際第三代半導體企業擴產情況(二)
圖表 2016-2030年中國第三代半導體產業發展預測
圖表 2016-2018年中國第三代半導體材料市場規模與增長
圖表 2018年中國第三代半導體材料市場結構
圖表 襯底研發重點企業盤點
圖表 2016-2018年國內金屬硅價格走勢圖
圖表 主要的國際競爭廠商(一)
圖表 主要的國際競爭廠商(二)
圖表 主要的國際競爭廠商(三)
圖表 國內氮化鎵產業鏈主要企業
圖表 GaN原子結構
圖表 典型GaN HEMT結構
圖表 GaN制備流程
圖表 HVPE系統示意圖
圖表 GaN外延生長常用方法示意圖
圖表 氮化鎵制備技術專利發展路線
圖表 氮化鎵外延技術專利發展路線
圖表 2019-2030年我國第三代半導體GaN材料關鍵技術發展路線表
圖表 2016-2018年中國GaN襯底市場規模與增長
圖表 2019-2021年中國GaN襯底市場規模與增長預測
圖表 2018年中國GaN襯底市場應用結構
圖表 2019-2021年中國GaN襯底市場產品結構預測
圖表 GaN功率器件應用領域與市場份額
圖表 GaN襯底產品相關企業布局
圖表 GaN外延產品相關企業布局
圖表 GaN器件/模塊/IDM產品相關企業布局(一)
圖表 GaN器件/模塊/IDM產品相關企業布局(二)
圖表 GaN器件/模塊/IDM產品相關企業布局(三)
圖表 GaN半導體器件類別及應用
圖表 GaN器件主要產品
圖表 Cascode GaN晶體管
圖表 EPC的電氣參數
圖表 LGA封裝示意圖
圖表 國際上已經商業化的RF GaN HEMT性能
圖表 2018年國際企業最新推出GaN射頻晶體管產品
圖表 國際上已經商業化的RF GaN功率放大器性能
圖表 國際主流廠商商業化RF GaN功率放大器性能(@中國5G頻段)
圖表 2018年國際企業最新推出GaN射頻模塊產品(一)
圖表 2018年國際企業最新推出GaN射頻模塊產品(二)
圖表 國際上已經商業化的Si基GaN HEMT電力電子器件性能
圖表 2018年國際企業最新推出GaN電力電子器件產品(一)
圖表 2018年國際企業最新推出GaN電力電子器件產品(二)
圖表 分布式服務器電源系統結構圖
圖表 實驗樣機主電路結構
圖表 實驗樣機照片
圖表 隨負載變化的效率曲線
圖表 有源鉗位反激變換器電路
圖表 激光雷達脈沖寬度對距離測量分辨率的影響
圖表 Si和GaN器件驅動的激光雷達成像分辨率對比圖
圖表 恒定電壓供電方式的典型波形
圖表 包絡線跟隨供電方式的典型波形
圖表 ET技術的原理框圖
圖表 DBC方式的硅基器件的熱阻發展趨勢
圖表 2020年GaN器件產品電壓范圍占比預測
圖表 SiC生長爐爐體示意圖
圖表 液相生長法熔具結構圖
圖表 碳化硅單晶生長技術專利發展路線
圖表 碳化硅制備技術全球、美國和中國的專利申請量趨勢
圖表 碳化硅制備技術各技術分支主要國家/地區專利布局對比
圖表 2016-2018年中國SiC襯底市場規模與增長
圖表 2019-2021年中國SiC襯底市場規模與增長預測
圖表 2018年中國SiC襯底市場應用結構
圖表 2019-2021年中國SiC襯底市場產品結構預測
圖表 SiC襯底產品相關企業布局
圖表 SiC外延產品相關企業布局
圖表 SiC器件/模塊/IDM產品相關企業布局(一)
圖表 SiC器件/模塊/IDM產品相關企業(二)
圖表 英飛凌第三代半導體材料各技術分支專利主題布局
圖表 碳化硅電力電子器件分類
圖表 各國重要企業的SiC電子電力器件產品
圖表 國際上已經商業化的SiC肖特基二極管的器件性能
圖表 2018年國際企業最新推出的SiC二極管產品
圖表 國際上已經商業化的SiC晶體管的器件性能
圖表 2018年國際企業最新推出的SiC晶體管產品(一)
圖表 2018年國際企業最新推出的SiC晶體管產品(二)
圖表 2018年國際企業最新推出全SiC功率模塊產品(一)
圖表 2018年國際企業最新推出全SiC功率模塊產品(二)
圖表 2020-2048年SiC器件在電網應用的技術路線
圖表 2020-2048年電力電子變壓器(PET)發展預測
圖表 2020-2048年靈活交流輸電裝置(FACTS)發展預測
圖表 2020-2048年光伏逆變器發展預測
圖表 2020-2048年采用SiC器件的光伏逆變器市場占比預測
圖表 2020-2048年固態開關發展預測
圖表 2018-2050年各類別車輛規模的預測
圖表 2018-2050年各類別應用裝置規模的預測
圖表 2018-2050年應用裝置的功率密度預測
圖表 2018-2050年應用裝置的工作效率預測
圖表 2018-2050年各種電力電子器件的預測
圖表 電動汽車電氣系統架構
圖表 2018-2048年車載OBC和非車載充電樁的效率提升預測
圖表 三電平拓撲
圖表 2018-2048年車載和非車載的換流器開關頻率提升預測
圖表 Si IGBT和SiC MOSFET控制器效率對比
圖表 對車載和非車載的器件要求
圖表 2018-2025年SiC器件的封裝預測
圖表 2020-2048年電動汽車電機驅動采用SiC器件發展預測
圖表 2020-2048年電動汽車無線充電設施采用SiC器件發展預測
圖表 家用消費類電子產品的分類
圖表 適配器電源產品的能效等級要求
圖表 歐美主要國家強制實施的最新能效等級要求
圖表 不同家用電子產品耗電量分布圖
圖表 空調電氣控制系統應用框圖
圖表 開通電壓/電流波形對比
圖表 SiC混合功率模塊開關損耗對比
圖表 2000-2030年功率模塊未來發展趨勢
圖表 2020-2048年家用電器和消費類電子采用SiC功率模塊發展預測
圖表 氮化鋁晶體結構及晶須
圖表 氮化鋁陶瓷基板的性能優勢
圖表 InGaZnO4晶體結構
圖表 β-Ga2O3功率器件與其他主要半導體功率器件的理論性能極限
圖表 金剛石結構
圖表 金剛石與其他半導體材料特性總結
圖表 全球半導體分立器件應用領域結構
圖表 2016-2023年我國SiC、GaN電力電子器件應用市場規模預估
圖表 2018年我國SiC、GaN電力電子器件應用市場分布
圖表 2020年SiC電力電子器件應用市場預測
圖表 不同制造商SiC肖特基二極管產品平均價格對比
圖表 不同制造商SiC SBD產品價格中位數對比
圖表 SiC肖特基二極管與Si FRD平均價格對比
圖表 SiC肖特基二極管與Si FRD價格中位數對比
圖表 2018年SiC肖特基二極管價格分布圖
圖表 SiC MOSFET與Si IGBT平均價格對比
圖表 SiC MOSFET與Si IGBT價格中位數對比
圖表 國外已經商業化的SiC晶體管價格
圖表 2016-2023年我國GaN射頻器件應用市場規模預估
圖表 全球GaN射頻器件市場結構(按應用領域劃分)
圖表 國外已經商業化的RF GaN HEMT價格
圖表 2015-2022年GaN射頻器件應用市場規模預估
圖表 2017年我國GaN射頻器件應用市場分布
圖表 2006-2018年我國LED照明產業各環節產業規模
圖表 2009-2018年我國LED照明應用細分市場表現
圖表 2009-2018年我國LED特殊照明應用市場規模
圖表 2018-2020年中國LED照明產業規模及滲透率預測
圖表 我國半導體照明應用分布
圖表 2014-2018年半導體激光市場規模
圖表 2017年工業用半導體激光器市場占比
圖表 半導體激光器細分應用領域
圖表 2019-2026年宏基站年建設數量預測
圖表 氮化鎵器件同時具有高功率和高頻率特點
圖表 氮化鎵在射頻器件(RF)、LED和功率器件的應用
圖表 2013-2020年GaN與LDMOS的出貨量對比預測
圖表 2022年氮化鎵射頻器件市場情況預測
圖表 2018年射頻功率器件市場情況
圖表 30年來通信技術的演進時間軸
圖表 2018-2025年5G智能手機出貨量
圖表 2017-2024年全球及中國GaN基站市場規模
圖表 2012-2020年新能源汽車銷量預測
圖表 2016-2020年全球汽車半導體市場規模預測
圖表 2016-2020年IGBT新能源汽車市場需求預算
圖表 2018年SiC新能源汽車市場需求預測
圖表 汽車功率半導體市場供需測算及增量空間
圖表 中美日SiC在新能源汽車中的應用進展
圖表 第三代半導體材料企業區域分布
圖表 2018年國內第三代半導體集聚區建設進展(一)
圖表 2018年國內第三代半導體集聚區建設進展(二)
圖表 2015-2018年各區域項目投資分布情況
圖表 2016-2019年北京第三代半導體相關政策
圖表 2010-2018年四川第三代半導體相關政策
圖表 2014-2019年重慶第三代半導體相關政策
圖表 2016-2018年廣州市集成電路的專項政策
圖表 2015-2019年江蘇第三代半導體相關政策
圖表 2015-2019年福建第三代半導體相關政策
圖表 2016-2019年三安光電股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表 2016-2019年三安光電股份有限公司營業收入及增速
圖表 2016-2019年三安光電股份有限公司凈利潤及增速
圖表 2016-2019年三安光電股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表 2016-2019年三安光電股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表 2016-2019年三安光電股份有限公司凈資產收益率
圖表 2016-2019年三安光電股份有限公司短期償債能力指標
圖表 2016-2019年三安光電股份有限公司資產負債率水平
圖表 2016-2019年三安光電股份有限公司運營能力指標
圖表 2016-2019年北京耐威科技股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表 2016-2019年北京耐威科技股份有限公司營業收入及增速
圖表 2016-2019年北京耐威科技股份有限公司凈利潤及增速
圖表 2016-2019年北京耐威科技股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表 2016-2019年北京耐威科技股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表 2016-2019年北京耐威科技股份有限公司凈資產收益率
圖表 2016-2019年北京耐威科技股份有限公司短期償債能力指標
圖表 2016-2019年北京耐威科技股份有限公司資產負債率水平
圖表 2016-2019年北京耐威科技股份有限公司運營能力指標
圖表 2016-2019年華潤微電子有限公司總資產及凈資產規模
圖表 2016-2019年華潤微電子有限公司營業收入及增速
圖表 2016-2019年華潤微電子有限公司凈利潤及增速
圖表 2016-2019年華潤微電子有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表 2016-2019年華潤微電子有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表 2016-2019年華潤微電子有限公司凈資產收益率
圖表 2016-2019年華潤微電子有限公司短期償債能力指標
圖表 2016-2019年華潤微電子有限公司資產負債率水平
圖表 2016-2019年華潤微電子有限公司運營能力指標
圖表 2016-2019年湖北臺基半導體股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表 2016-2019年湖北臺基半導體股份有限公司營業收入及增速
圖表 2016-2019年湖北臺基半導體股份有限公司凈利潤及增速
圖表 2016-2019年湖北臺基半導體股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表 2016-2019年湖北臺基半導體股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表 2016-2019年湖北臺基半導體股份有限公司凈資產收益率
圖表 2016-2019年湖北臺基半導體股份有限公司短期償債能力指標
圖表 2016-2019年湖北臺基半導體股份有限公司資產負債率水平
圖表 2016-2019年湖北臺基半導體股份有限公司運營能力指標
圖表 2016-2019年無錫新潔能功率半導體有限公司總資產及凈資產規模
圖表 2016-2019年無錫新潔能功率半導體有限公司營業收入及增速
圖表 2016-2019年無錫新潔能功率半導體有限公司凈利潤及增速
圖表 2016-2019年無錫新潔能功率半導體有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表 2016-2019年無錫新潔能功率半導體有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表 2016-2019年無錫新潔能功率半導體有限公司凈資產收益率
圖表 2016-2019年無錫新潔能功率半導體有限公司短期償債能力指標
圖表 2016-2019年無錫新潔能功率半導體有限公司資產負債率水平
圖表 2016-2019年無錫新潔能功率半導體有限公司運營能力指標
圖表 2016-2019年華燦光電股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表 2016-2019年華燦光電股份有限公司營業收入及增速
圖表 2016-2019年華燦光電股份有限公司凈利潤及增速
圖表 2016-2019年華燦光電股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表 2016-2019年華燦光電股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表 2016-2019年華燦光電股份有限公司凈資產收益率
圖表 2016-2019年華燦光電股份有限公司短期償債能力指標
圖表 2016-2019年華燦光電股份有限公司資產負債率水平
圖表 2016-2019年華燦光電股份有限公司運營能力指標
圖表 2018年國內第三代半導體領域投資擴產詳情(一)
圖表 2018年國內第三代半導體領域投資擴產詳情(二)
圖表 2018年國內第三代半導體領域投資擴產詳情(三)
圖表 2017-2019年國內企業投資案例
圖表 2018年國際第三代半導體行業SiC和GaN領域并購情況(一)
圖表 2018年國際第三代半導體行業SiC和GaN領域并購情況(二)
圖表 SiC SBD工藝流程圖
圖表 SiC MOSFET工藝流程圖
圖表 擬購置主要設備清單
圖表 裝修及配套設施投入資金表
圖表 軟件投資明細表
圖表 項目投資預算表(一)
圖表 項目投資預算表(二)
圖表 項目計劃時間表
圖表 經濟效益測算表
圖表 第三代半導體產業處于最佳窗口期
圖表 中投顧問對2020-2024年中國第三代半導體市場規模預測
圖表 中投顧問對2020-2024年中國第三代半導體市場結構預測
圖表 2019-2021年中國第三代半導體材料市場規模與增長預測
圖表 2019-2021年中國第三代半導體材料市場結構預測

第三代半導體材料具有寬的禁帶寬度,高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,通常又被稱為寬禁帶半導體材料(禁帶寬度大于2.2ev),也稱為高溫半導體材料。第三代半導體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表。

目前全球有超過30家公司在電力電子領域擁有對SiC、GaN相關產品的生產、設計、制造與銷售能力,但市場上能夠批量穩定提供SiC、GaN產品的不超過1/3。呈現美國、歐洲、日本三足鼎立態勢。

2018年,在國內市場環境偏緊和國際形勢緊張的大背景下,我國第三代半導體產業繼續向前推進。2018年我國第三代半導體整體產值約為7423億元(包括半導體照明),較2017年同比增長近13%。在5G、新能源汽車、綠色照明等新興領域蓬勃發展以及國家政策大力扶持的雙重驅動力下,我國第三代半導體材料市場繼續保持高速增長,總體市場規模已達到6.0億元,同比增長47.3%。

區域方面,我國第三代半導體產業發展初步形成了京津冀、長三角、珠三角、閩三角、中西部五大重點發展區域,其中,長三角集聚效應凸顯,占從2015年下半年至2018年底投資總額的64%。此外,北京、深圳、廈門、泉州、蘇州等代表性城市正在加緊部署、多措并舉、有序推進。

2017年科技部制定了《“十三五”材料領域科技創新專項規劃》,將“戰略先進電子材料”列為發展重點之一,以第三代半導體材料與半導體照明、新型顯示為核心,以大功率激光材料與器件、高端光電子與微電子材料為重點,推動跨界技術整合,搶占先進電子材料技術的制高點。2018年,包括北京、上海、深圳等超過13個地方政府出臺了支持半導體,特別是集成電路產業發展的產業政策,搶占半導體產業新一輪發展先機。2019年8月24日,由中關村科技園區、順義區人民政府聯合制定的《關于促進中關村順義園第三代半導體等前沿半導體產業創新發展的若干措施》正式發布。

總體而言,我國第三代半導體技術和產業都取得較好進展,但在材料指標、器件性能等方面與國外先進水平仍存在一定差距,市場繼續被國際巨頭占據,國產化需求迫切。我國第三代半導體創新發展的時機已經成熟,處于重要窗口期。

中投產業研究院發布的《2020-2024年中國第三代半導體行業深度調研及投資前景預測報告》共十二章。首先介紹了第三代半導體行業的總體概況及全球行業發展形勢,接著分析了中國第三代半導體行業發展環境、市場總體發展狀況以及全國重要區域發展狀況。然后分別對第三代半導體產業的產業鏈相關行業、行業重點企業的經營狀況及行業項目案例投資進行了詳盡的透析。最后,報告對第三代半導體行業進行了投資分析并對行業未來發展前景進行了科學的預測。

本研究報告數據主要來自于國家統計局、商務部、工信部、中國海關總署、半導體行業協會、中投產業研究院、中投產業研究院市場調查中心以及國內外重點刊物等渠道,數據權威、詳實、豐富,同時通過專業的分析預測模型,對行業核心發展指標進行科學地預測。您或貴單位若想對第三代半導體產業有個系統深入的了解、或者想投資第三代半導體產業,本報告將是您不可或缺的重要參考工具。

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