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2019-2023年中國氮化鎵(GaN)產業深度調研及投資前景預測報告

首次出版:2017年9月最新修訂:2019年7月交付方式:特快專遞(2-3天送達)

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報告目錄內容概述 定制報告

第一章 氮化鎵相關概述
1.1 氮化鎵基本介紹
1.1.1 氮化鎵基本概念
1.1.2 氮化鎵形成階段
1.1.3 氮化鎵性能優勢
1.1.4 氮化鎵半導體作用
1.2 氮化鎵材料的特性
1.2.1 結構特性
1.2.2 化學特性
1.2.3 光學特性
1.2.4 電學性質
1.2.5 磁學特性
1.3 氮化鎵的制備方法
1.3.1 金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)技術
1.3.2 分子束外延(MBE)技術
1.3.3 氫化物氣相外延(HVPE)技術
1.3.4 懸空外延技術(Pendeo-epitaxy)
第二章 2017-2019年半導體材料行業發展綜述
2.1 半導體材料相關概述
2.1.1 第一代半導體材料
2.1.2 第二代半導體材料
2.1.3 第三代半導體材料
2.1.4 半導體材料的應用
2.2 2017-2019年全球半導體材料發展狀況
2.2.1 市場銷售規模
2.2.2 區域分布狀況
2.2.3 細分市場結構
2.2.4 市場競爭狀況
2.3 2017-2019年中國半導體材料行業運行狀況
2.3.1 應用環節分析
2.3.2 產業支持政策
2.3.3 市場銷售規模
2.3.4 細分市場結構
2.3.5 產業轉型升級
2.4 中國半導體材料行業存在的問題及發展對策
2.4.1 行業發展滯后
2.4.2 產品同質化問題
2.4.3 供應鏈不完善
2.4.4 行業發展建議
2.4.5 行業發展思路
2.5 半導體材料產業未來發展前景展望
2.5.1 行業發展趨勢
2.5.2 行業需求分析
2.5.3 行業前景分析
第三章 2017-2019年氮化鎵產業發展深度分析
3.1 氮化鎵產業發展綜述
3.1.1 產業鏈條分析
3.1.2 產業發展歷程
3.1.3 產業支持政策
3.1.4 國產化將加速
3.2 2017-2019年氮化鎵市場發展狀況
3.2.1 氮化鎵市場發展現狀
3.2.2 氮化鎵市場需求狀況
3.2.3 氮化鎵應用領域分析
3.2.4 氮化鎵產業鏈供應商
3.2.5 氮化鎵區域集聚發展
3.2.6 氮化鎵器件發展瓶頸
3.3 氮化鎵產業技術及研發狀況
3.3.1 產業自主創新
3.3.2 產業研發進展
3.3.3 技術專利分析
第四章 2017-2019年氮化鎵器件主要類型發展分析
4.1 發光二極管(LED)
4.1.1 發光二極管(LED)發展概述
4.1.2 發光二極管(LED)市場發展現狀
4.1.3 發光二極管進出口數據分析
4.1.4 氮化鎵基藍綠光LED發展歷程
4.1.5 氮化鎵在LED領域的技術突破
4.2 場效應晶體管(FET)
4.2.1 場效應晶體管(FET)發展概述
4.2.2 GaN FET與硅FET的比較分析
4.2.3 GaN FET產品的應用情況
4.3 激光二極管(LD)
4.3.1 激光二極管(LD)發展概述
4.3.2 激光二極管(LD)背景技術
4.3.3 激光器進出口市場數據分析
4.3.4 GaN基激光器發展概況分析
4.3.5 GaN基激光器技術發展情況
4.4 二極管(Diodes)
4.4.1 二極管(Diodes)發展概述
4.4.2 二極管進出口數據分析
4.4.3 氮化鎵二極管技術發展狀況
4.5 射頻器件(RF)
4.5.1 射頻器件(RF)發展概述
4.5.2 GaN射頻器件市場發展狀況
4.5.3 GaN射頻元件企業發展分析
4.6 太陽能電池(Solar Cells)
4.6.1 2017-2019年中國太陽能電池進出口數據分析
4.6.2 InGaN/GaN量子阱結構太陽能電池發展概述
4.6.3 InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
4.6.4 InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
4.6.5 InGaN/GaN量子阱結構太陽能電池發展展望
第五章 2017-2019年氮化鎵應用領域分析
5.1 氮化鎵在電力電子產業的應用
5.1.1 電力電子器件產業發展意義
5.1.2 GaN應用在電力電子領域的優勢
5.1.3 GaN電力電子器件產品分析
5.1.4 GaN電力電子器件分布情況
5.1.5 GaN組件商品化帶來的機遇
5.1.6 電力電子器件市場未來發展方向
5.1.7 “十三五”中國電力電子發展重點
5.2 氮化鎵在新能源產業的應用
5.2.1 新能源行業相關政策支持
5.2.2 新能源行業整體發展形勢
5.2.3 新能源發電建設和運行情況
5.2.4 GaN大功率器件需求潛力
5.3 氮化鎵在智能電網產業的應用
5.3.1 發展智能電網的重要意義
5.3.2 智能電力設備發展分析
5.3.3 智能電力設備關鍵技術
5.3.4 GaN大功率器件需求潛力
5.4 氮化鎵在通訊設備產業的應用
5.4.1 通訊設備市場需求分析
5.4.2 通訊設備制造業運行分析
5.4.3 GaN大功率器件需求潛力
5.5 氮化鎵其他領域應用分析
5.5.1 GaN在4C產業的應用
5.5.2 GaN在無線基站領域應用
5.5.3 GaN在紫外探測領域的應用
5.5.4 GaN在紅外探測領域的應用
5.5.5 GaN在壓力傳感器中的應用
5.5.6 GaN在生物化學探測領域的應用
第六章 2017-2019年國際氮化鎵產業重點企業經營狀況分析
6.1 MACOM
6.1.1 企業發展概況
6.1.2 企業經營狀況
6.1.3 企業產品動態
6.2 科沃(Qorvo)
6.2.1 企業發展概況
6.2.2 企業經營狀況
6.2.3 企業產品開發
6.3 雷神
6.3.1 企業發展概況
6.3.2 企業經營狀況
6.3.3 企業發展動態
6.4 恩智浦
6.4.1 企業發展概況
6.4.2 企業經營狀況
6.4.3 企業產品發布
6.5 英飛凌
6.5.1 企業發展概況
6.5.2 企業經營狀況
6.5.3 企業產品動態
第七章 2017-2019年中國氮化鎵產業重點企業經營狀況分析
7.1 蘇州納維科技有限公司
7.1.1 企業發展概況
7.1.2 企業主營業務
7.1.3 企業發展成就
7.2 蘇州能訊高能半導體有限公司
7.2.1 企業發展概況
7.2.2 企業發展成就
7.2.3 企業項目進展
7.3 東莞市中鎵半導體科技有限公司
7.3.1 企業發展概況
7.3.2 企業人才隊伍
7.3.3 企業獲得榮譽
7.3.4 公司專利技術
7.3.5 企業發展規劃
7.4 三安光電股份有限公司
7.4.1 企業發展概況
7.4.2 經營效益分析
7.4.3 業務經營分析
7.4.4 財務狀況分析
7.4.5 核心競爭力分析
7.4.6 公司發展戰略
7.4.7 未來前景展望
7.5 杭州士蘭微電子股份有限公司
7.5.1 企業發展概況
7.5.2 經營效益分析
7.5.3 業務經營分析
7.5.4 財務狀況分析
7.5.5 核心競爭力分析
7.5.6 公司發展戰略
7.6 四川海特高新技術股份有限公司
7.6.1 企業發展概況
7.6.2 經營效益分析
7.6.3 業務經營分析
7.6.4 財務狀況分析
7.6.5 核心競爭力分析
7.6.6 公司發展戰略
7.6.7 未來前景展望
第八章 2019-2023年氮化鎵產業投資分析及前景預測
8.1 氮化鎵產業投資潛力分析
8.1.1 產業投資機會
8.1.2 企業并購案例
8.1.3 企業并購金額
8.1.4 投資擴產狀況
8.1.5 區域投資分布
8.2 氮化鎵產業發展前景展望
8.2.1 產業發展前景
8.2.2 市場應用潛力
8.2.3 市場發展機遇
8.3 中投顧問對2019-2023年中國氮化鎵市場預測分析
8.3.1 2019-2023年中國氮化鎵市場影響因素分析
8.3.2 2019-2023年中國5G基站GaN功放市場規模預測

圖表目錄

圖表1 半導體發展歷程
圖表2 硅、砷化鎵、氮化鎵主要電學性質參數比較
圖表3 半導體材料性能比較
圖表4 砷化鎵/氮化鎵半導體的作用
圖表5 纖鋅礦結構和閃鋅礦結構兩種結構的結構特性
圖表6 三代半導體材料常溫下部分性質
圖表7 半導體材料的主要應用
圖表8 2010-2018年全球半導體材料銷售額及增速
圖表9 2010-2018年中國半導體材料銷售額及增速
圖表10 2018年全球半導體材料市場區域占比情況
圖表11 2010-2018年全球晶圓制造及封裝材料市場銷售規模
圖表12 2017年全球晶圓制造材料市場規模
圖表13 SiC電子電力產業的全球分布特點
圖表14 半導體材料主要應用于晶圓制造與封測環節
圖表15 半導體材料相關支持政策(一)
圖表16 半導體材料相關支持政策(二)
圖表17 半導體材料相關支持政策(三)
圖表18 半導體材料相關支持政策(四)
圖表19 2017-2022年中國半導體材料市場銷售額統計情況及預測
圖表20 2016-2020年中國晶圓制造及封裝材料市場銷售規模
圖表21 2017年國內晶圓制造材料細分領域
圖表22 GaN器件產業鏈各環節及主要企業
圖表23 GaN外延用不同襯底的對比
圖表24 GaN器件主要產品與工藝技術
圖表25 GaN器件發展史
圖表26 國家集成電路產業發展綱要
圖表27 GaN器件適用于功率器件市場
圖表28 2018年國內第三代半導體集聚區建設進展(一)
圖表29 2018年國內第三代半導體集聚區建設進展(二)
圖表30 2018年8英寸Si基GaN外延片及器件研發進展
圖表31 RF GaN領域主要專利權人的專利組合強度
圖表32 LED的生產流程
圖表33 LED器件按封裝形式分類
圖表34 LED器件按應用領域分類
圖表35 2014-2019年國內LED產值規模分析
圖表36 2014-2019年國內LED室內照明市場規模及增速
圖表37 2017-2019年中國發光二極管進出口總額
圖表38 2017-2019年中國發光二極管進出口(總額)結構
圖表39 2017-2019年中國發光二極管貿易順差規模
圖表40 GaN FET SOA曲線示例
圖表41 電感硬開關測試電路
圖表42 Transphorm汽車級GaN FET產品示意圖
圖表43 2017-2019年中國激光器進出口總額
圖表44 2017-2019年中國激光器進出口(總額)結構
圖表45 2017-2019年中國激光器貿易順差規模
圖表46 蘇州納米所研制的GaN藍光激光器
圖表47 蘇州納米所研制的綠光激光器光功率-電流曲線
圖表48 蘇州納米所研制的綠光激光器激射光譜
圖表49 不同顯示技術所能顯示的色域范圍對比圖
圖表50 二極管結構圖
圖表51 二極管的圖形符號
圖表52 硅二極管典型伏安特性曲線
圖表53 二極管的好壞判斷
圖表54 2017-2019年中國二極管進出口總額
圖表55 2017-2019年中國二極管進出口(總額)結構
圖表56 2017-2019年中國二極管貿易順差規模
圖表57 再生長GaN二極管中的1/C2-V特性曲線
圖表58 器件結構圖以及n-GaN漂移層中的摻雜濃度變化
圖表59 2017-2019年中國太陽能電池進出口總額
圖表60 2017-2019年中國太陽能電池進出口(總額)結構
圖表61 2017-2019年中國太陽能電池貿易順差規模
圖表62 InGaN材料帶隙對應的AM1.5太陽光譜的覆蓋
圖表63 量子阱區域結構設計對InGaN/GaN量子阱太陽能電池特性的影響
圖表64 光強和溫度對InGaN/GaN量子阱太陽電池性能的影響
圖表65 表面納米結構InGaN/GaN量子阱太陽能電池的性能特性
圖表66 具有反射鏡結構的InGaN/GaN量子阱太陽電池特性
圖表67 垂直InGaN/GaN量子阱太陽能電池結構圖
圖表68 垂直結構InGaN/GaN量子阱太陽能電池的性能特性
圖表69 GaN晶體管性能分析
圖表70 2018年GaN功率半導體新產品
圖表71 2018年GaN功率模塊新產品
圖表72 GaN器件應用領域及電壓分布情況
圖表73 分布式發電、儲能及轉化系統
圖表74 電力電子在智能電網中的應用
圖表75 2013-2018年移動寬帶(3G/4G)用戶發展情況
圖表76 2017-2018年固定互聯網寬帶各接入速率用戶占比情況
圖表77 2013-2018年互聯網寬帶接入端口發展情況
圖表78 2013-2018年移動電話基站發展情況
圖表79 2016-2017財年MACOM綜合收益表
圖表80 2016-2017財年MACOM分部資料
圖表81 2016-2017財年MACOM收入分地區資料
圖表82 2017-2018財年MACOM綜合收益表
圖表83 2017-2018財年MACOM分部資料
圖表84 2017-2018財年MACOM收入分地區資料
圖表85 2018-2019財年MACOM綜合收益表
圖表86 2018-2019財年MACOM分部資料
圖表87 2018-2019財年MACOM收入分地區資料
圖表88 2016-2017財年科沃綜合收益表
圖表89 2016-2017財年科沃分部資料
圖表90 2017-2018財年科沃綜合收益表
圖表91 2017-2018財年科沃分部資料
圖表92 2018-2019財年科沃綜合收益表
圖表93 2018-2019財年科沃分部資料
圖表94 2018-2019財年科沃收入分地區資料
圖表95 2016-2017年雷神綜合收益表
圖表96 2016-2017年雷神分部資料
圖表97 2016-2017年雷神收入分地區資料
圖表98 2017-2018年雷神綜合收益表
圖表99 2017-2018年雷神分部資料
圖表100 2017-2018年雷神收入分地區資料
圖表101 2018-2019年雷神綜合收益表
圖表102 2018-2019年雷神分部資料
圖表103 2018-2019年雷神收入分地區資料
圖表104 2016-2017財年恩智浦綜合收益表
圖表105 2016-2017財年恩智浦分部資料
圖表106 2016-2017財年恩智浦收入分地區資料
圖表107 2017-2018財年恩智浦綜合收益表
圖表108 2017-2018財年恩智浦分部資料
圖表109 2017-2018財年恩智浦收入分地區資料
圖表110 2018-2019財年恩智浦綜合收益表
圖表111 2016-2017財年英飛凌科技公司綜合收益表
圖表112 2016-2017財年英飛凌科技公司分部資料
圖表113 2016-2017財年英飛凌科技公司收入分地區資料
圖表114 2017-2018財年英飛凌科技公司綜合收益表
圖表115 2017-2018財年英飛凌科技公司分部資料
圖表116 2017-2018財年英飛凌科技公司收入分地區資料
圖表117 2018-2019財年英飛凌科技公司綜合收益表
圖表118 2018-2019財年英飛凌科技公司分部資料
圖表119 2018-2019財年英飛凌科技公司收入分地區資料
圖表120 2016-2019年三安光電股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表121 2016-2019年三安光電股份有限公司營業收入及增速
圖表122 2016-2019年三安光電股份有限公司凈利潤及增速
圖表123 2018年三安光電股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表124 2016-2019年三安光電股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表125 2016-2019年三安光電股份有限公司凈資產收益率
圖表126 2016-2019年三安光電股份有限公司短期償債能力指標
圖表127 2016-2019年三安光電股份有限公司資產負債率水平
圖表128 2016-2019年三安光電股份有限公司運營能力指標
圖表129 2016-2019年杭州士蘭微電子股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表130 2016-2019年杭州士蘭微電子股份有限公司營業收入及增速
圖表131 2016-2019年杭州士蘭微電子股份有限公司凈利潤及增速
圖表132 2018年杭州士蘭微電子股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表133 2016-2019年杭州士蘭微電子股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表134 2016-2019年杭州士蘭微電子股份有限公司凈資產收益率
圖表135 2016-2019年杭州士蘭微電子股份有限公司短期償債能力指標
圖表136 2016-2019年杭州士蘭微電子股份有限公司資產負債率水平
圖表137 2016-2019年杭州士蘭微電子股份有限公司運營能力指標
圖表138 2016-2019年四川海特高新技術股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表139 2016-2019年四川海特高新技術股份有限公司營業收入及增速
圖表140 2016-2019年四川海特高新技術股份有限公司凈利潤及增速
圖表141 2017-2018年四川海特高新技術股份有限公司營業收入分行業、產品、地區
圖表142 2016-2019年四川海特高新技術股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表143 2016-2019年四川海特高新技術股份有限公司凈資產收益率
圖表144 2016-2019年四川海特高新技術股份有限公司短期償債能力指標
圖表145 2016-2019年四川海特高新技術股份有限公司資產負債率水平
圖表146 2016-2019年四川海特高新技術股份有限公司運營能力指標
圖表147 2018年國際第三代半導體行業SiC和GaN領域并購情況(一)
圖表148 2018年國際第三代半導體行業SiC和GaN領域并購情況(二)
圖表149 2018年國內第三代半導體領域投資擴產詳情(一)
圖表150 2018年國內第三代半導體領域投資擴產詳情(二)
圖表151 2018年國內第三代半導體領域投資擴產詳情(三)
圖表152 2015-2018年各區域項目投資分布情況
圖表153 2023年GaN射頻市場規模預測
圖表154 GaN符合5G基站建設趨勢
圖表155 中投顧問對2019-2023年中國5G基站GaN功放市場規模預測

 

氮化鎵(GaN)是直接寬帶隙半導體材料,屬于第三代半導體。與前兩半導體材料相比,第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力,滿足現代電子技術對半導體材料提出的高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要求,更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。

氮化鎵如今被定位成涵蓋了從無線基站到射頻能量等商業射頻領域的主流應用,它從一項高深的技術發展為市場的中流砥柱,這一發展歷程融合了多種因素,是其一致發揮作用的結果。氮化鎵的性能優勢曾經一度因高成本而被抵消,最近,其憑借在硅基氮化鎵技術、供應鏈優化、器件封裝技術以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出,成為大多數射頻應用中可替代砷化鎵和LDMOS的最具成本競爭優勢的材料。

2017年中國GaN射頻市場規模約為12億元,無線通信基站約占20%,即2.4億元,2018年由于5G通信試驗基站的建設,基站端GaN射頻器件同比增長達75%,達4.2億元。

2018年7月,國內首個《第三代半導體電力電子技術路線圖》正式發布。路線圖主要從襯底/外延/器件、封裝/模塊、SiC應用、GaN應用等四個方面展開論述,提出了中國發展第三代半導體電力電子技術的路徑建議和對未來產業發展的預測。在5G、新能源汽車、能源互聯網、軌道交通、國防軍備等下游應用領域快速發展帶動下,第三代半導體產業將成為未來半導體產業發展的重要引擎,這也將帶動GaN產業的發展。

中投產業研究院發布的《2019-2023年中國氮化鎵(GaN)產業深度調研及投資前景預測報告》共八章。首先介紹了氮化鎵的概念、特性、制備方法等,接著分析了半導體材料和氮化鎵產業的整體發展狀況。然后報告從主要類型、應用領域、國內外企業等方面對氮化鎵行業進行了系統解析,最后報告對氮化鎵產業的投資潛力及發展前景進行了科學的預測。

本研究報告數據主要來自于國家統計局、國家海關總署、商務部、財政部、工信部、中投產業研究院、中投產業研究院市場調查中心以及國內外重點刊物等渠道,數據權威、詳實、豐富,同時通過專業的分析預測模型,對行業核心發展指標進行科學地預測。您或貴單位若想對氮化鎵產業有個系統深入的了解、或者想投資該行業,本報告將是您不可或缺的重要參考工具。

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