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2022-2026年中國氮化鎵(GaN)產業深度調研及投資前景預測報告

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十四五將是中國技術和產業升級的關鍵期,重點機會有哪些?
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報告目錄內容概述 定制報告

第一章 氮化鎵相關概述
1.1 氮化鎵基本介紹
1.1.1 氮化鎵基本概念
1.1.2 氮化鎵形成階段
1.1.3 氮化鎵性能優勢
1.1.4 氮化鎵半導體作用
1.2 氮化鎵材料的特性
1.2.1 結構特性
1.2.2 化學特性
1.2.3 光學特性
1.2.4 電學性質
1.2.5 磁學特性
1.3 氮化鎵的制備方法
1.3.1 金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)技術
1.3.2 分子束外延(MBE)技術
1.3.3 氫化物氣相外延(HVPE)技術
1.3.4 懸空外延技術(Pendeo-epitaxy)
第二章 2019-2021年半導體材料行業發展綜述
2.1 半導體材料相關概述
2.1.1 第一代半導體材料
2.1.2 第二代半導體材料
2.1.3 第三代半導體材料
2.1.4 半導體材料的應用
2.2 2019-2021年全球半導體材料發展狀況
2.2.1 市場銷售規模
2.2.2 區域分布狀況
2.2.3 細分市場結構
2.2.4 市場并購動態
2.2.5 市場發展預測
2.3 2019-2021年中國半導體材料行業運行狀況
2.3.1 應用環節分析
2.3.2 產業支持政策
2.3.3 市場銷售規模
2.3.4 細分市場結構
2.3.5 企業發展動態
2.3.6 國產替代進程
2.4 中國半導體材料行業存在的問題及發展對策
2.4.1 行業發展滯后
2.4.2 產品同質化問題
2.4.3 供應鏈不完善
2.4.4 行業發展建議
2.4.5 行業發展思路
2.5 半導體材料產業未來發展前景展望
2.5.1 行業發展趨勢
2.5.2 行業需求分析
2.5.3 行業前景分析
第三章 2019-2021年氮化鎵產業發展深度分析
3.1 氮化鎵產業發展綜述
3.1.1 產業鏈條分析
3.1.2 產業發展歷程
3.1.3 產業支持政策
3.1.4 國產化將加速
3.2 2019-2021年氮化鎵市場發展狀況
3.2.1 氮化鎵市場發展現狀
3.2.2 氮化鎵市場需求狀況
3.2.3 氮化鎵市場產值規模
3.2.4 氮化鎵市場產能分析
3.2.5 氮化鎵應用領域分析
3.2.6 氮化鎵器件發展瓶頸
3.3 氮化鎵技術專利申請狀況
3.3.1 全球氮化鎵技術來源國分布
3.3.2 全球氮化鎵技術專利申請量
3.3.3 全球氮化鎵專利申請人分布
3.3.4 中國氮化鎵專利申請區域分布
第四章 2019-2021年氮化鎵企業競爭情況分析
4.1 2019-2021年全球氮化鎵企業競爭分析
4.1.1 全球氮化鎵市場區域競爭
4.1.2 全球氮化鎵企業競爭格局
4.1.3 全球氮化鎵企業市場份額
4.1.4 全球氮化鎵企業布局情況
4.1.5 全球氮化鎵企業上市動態
4.1.6 全球氮化鎵企業中國布局
4.2 2019-2021年中國氮化鎵企業競爭分析
4.2.1 國內氮化鎵競爭態勢
4.2.2 國內氮化鎵主要企業
4.2.3 國內氮化鎵企業產線
4.2.4 國內氮化鎵廠商布局
4.3 快充市場氮化鎵主要企業及其產品分布
4.3.1 氮化鎵芯片上游
4.3.2 氮化鎵制造工廠
4.3.3 氮化鎵品牌廠商
4.4 GaN器件主要企業及其產品分布
4.4.1 GaN電力電子器件
4.4.2 GaN光電子器件
第五章 2019-2021年氮化鎵器件主要類型發展分析
5.1 發光二極管(LED)
5.1.1 發光二極管(LED)發展概述
5.1.2 發光二極管(LED)市場發展現狀
5.1.3 發光二極管(LED)進出口數據分析
5.1.4 氮化鎵基藍綠光LED發展歷程
5.1.5 氮化鎵在LED領域的技術突破
5.2 場效應晶體管(FET)
5.2.1 場效應晶體管(FET)發展概述
5.2.2 GaN FET與硅FET的比較分析
5.2.3 GaN FET產品的應用情況
5.2.4 GaN FET產品研發進展
5.3 激光二極管(LD)
5.3.1 激光二極管(LD)發展概述
5.3.2 激光二極管(LD)背景技術
5.3.3 激光器進出口市場數據分析
5.3.4 GaN基激光器發展概況分析
5.3.5 GaN基激光器應用狀況分析
5.3.6 GaN基激光器技術發展情況
5.3.7 GaN基激光器發展前景展望
5.4 二極管(Diodes)
5.4.1 二極管(Diodes)發展概述
5.4.2 二極管進出口市場數據分析
5.4.3 氮化鎵二極管技術發展狀況
5.5 射頻器件(RF)
5.5.1 射頻器件(RF)發展概述
5.5.2 GaN射頻器件市場發展狀況
5.5.3 GaN射頻元件企業發展分析
5.5.4 GaN射頻器件主要需求領域
5.6 太陽能電池(Solar Cells)
5.6.1 2019-2021年中國太陽能電池進出口數據分析
5.6.2 InGaN/GaN量子阱結構太陽能電池發展概述
5.6.3 InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
5.6.4 InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
5.6.5 InGaN/GaN量子阱結構太陽能電池發展展望
第六章 2019-2021年氮化鎵應用領域分析
6.1 氮化鎵在電力電子產業的應用
6.1.1 電力電子器件產業發展意義
6.1.2 GaN應用在電力電子領域的優勢
6.1.3 GaN電力電子器件分布情況
6.1.4 GaN基電力電子器件關鍵技術
6.1.5 GaN組件商品化帶來的機遇
6.1.6 電力電子器件市場未來發展方向
6.2 氮化鎵在新能源產業的應用
6.2.1 新能源行業相關政策支持
6.2.2 新能源行業整體發展形勢
6.2.3 新能源發電建設和運行情況
6.2.4 GaN大功率器件需求潛力
6.3 氮化鎵在智能電網產業的應用
6.3.1 發展智能電網的重要意義
6.3.2 智能電力設備發展分析
6.3.3 智能電力設備關鍵技術
6.3.4 GaN大功率器件需求潛力
6.4 氮化鎵在通訊設備產業的應用
6.4.1 通訊設備市場需求分析
6.4.2 通訊設備制造業運行分析
6.4.3 GaN大功率器件需求潛力
6.5 氮化鎵其他領域應用分析
6.5.1 GaN在4C產業的應用
6.5.2 GaN在無線基站領域應用
6.5.3 GaN在紫外探測領域的應用
6.5.4 GaN在紅外探測領域的應用
6.5.5 GaN在壓力傳感器中的應用
6.5.6 GaN在生物化學探測領域的應用
第七章 2019-2021年國際氮化鎵產業重點企業經營狀況分析
7.1 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
7.1.1 企業發展概況
7.1.2 企業產品動態
7.1.3 2019財年企業經營狀況分析
7.1.4 2020財年企業經營狀況分析
7.1.5 2021財年企業經營狀況分析
7.2 科沃(Qorvo, Inc.)
7.2.1 企業發展概況
7.2.2 企業產品開發
7.2.3 2019財年企業經營狀況分析
7.2.4 2020財年企業經營狀況分析
7.2.5 2021財年企業經營狀況分析
7.3 雷神科技公司(Raytheon Technologies Corp.)
7.3.1 企業發展概況
7.3.2 企業發展動態
7.3.3 2019年企業經營狀況分析
7.3.4 2020年企業經營狀況分析
7.3.5 2021年企業經營狀況分析
7.4 恩智浦(NXP Semiconductors N.V.)
7.4.1 企業發展概況
7.4.2 企業產品發布
7.4.3 項目建設動態
7.4.4 2019財年企業經營狀況分析
7.4.5 2020財年企業經營狀況分析
7.4.6 2021財年企業經營狀況分析
7.5 英飛凌科技公司(Infineon Technologies AG)
7.5.1 企業發展概況
7.5.2 企業產品動態
7.5.3 2019財年企業經營狀況分析
7.5.4 2020財年企業經營狀況分析
7.5.5 2021財年企業經營狀況分析
第八章 2018-2021年中國氮化鎵產業重點企業經營狀況分析
8.1 蘇州納維科技有限公司
8.1.1 企業發展概況
8.1.2 企業主營業務
8.1.3 企業發展成就
8.2 蘇州能訊高能半導體有限公司
8.2.1 企業發展概況
8.2.2 企業發展成就
8.2.3 企業項目進展
8.3 東莞市中鎵半導體科技有限公司
8.3.1 企業發展概況
8.3.2 企業人才隊伍
8.3.3 企業獲得榮譽
8.3.4 公司專利技術
8.3.5 企業發展規劃
8.4 三安光電股份有限公司
8.4.1 企業發展概況
8.4.2 經營效益分析
8.4.3 業務經營分析
8.4.4 財務狀況分析
8.4.5 核心競爭力分析
8.4.6 公司發展戰略
8.4.7 未來前景展望
8.5 杭州士蘭微電子股份有限公司
8.5.1 企業發展概況
8.5.2 經營效益分析
8.5.3 業務經營分析
8.5.4 財務狀況分析
8.5.5 核心競爭力分析
8.5.6 公司發展戰略
8.5.7 未來前景展望
8.6 四川海特高新技術股份有限公司
8.6.1 企業發展概況
8.6.2 經營效益分析
8.6.3 業務經營分析
8.6.4 財務狀況分析
8.6.5 核心競爭力分析
8.6.6 公司發展戰略
8.6.7 未來前景展望
第九章 2022-2026年氮化鎵產業投資分析及前景預測
9.1 氮化鎵產業投資潛力分析
9.1.1 產業投資機會
9.1.2 企業并購動態
9.1.3 投資擴產狀況
9.1.4 區域投資分布
9.2 氮化鎵產業發展前景展望
9.2.1 產業發展前景
9.2.2 市場應用潛力
9.2.3 市場發展機遇
9.3 中投顧問對2022-2026年中國氮化鎵市場預測分析
9.3.1 2022-2026年中國氮化鎵市場影響因素分析
9.3.2 2022-2026年中國第三代半導體產業電力電子和射頻電子總產值預測
9.3.3 2022-2026年中國SiC、GaN電力電子產值規模預測
9.3.4 2022-2026年中國GaN微波射頻產值規模預測

圖表目錄

圖表1 半導體發展歷程
圖表2 硅、砷化鎵、氮化鎵主要電學性質參數比較
圖表3 半導體材料性能比較
圖表4 砷化鎵/氮化鎵半導體的作用
圖表5 纖鋅礦結構和閃鋅礦結構兩種結構的結構特性
圖表6 三代半導體材料常溫下部分性質
圖表7 半導體材料的主要應用
圖表8 2019-2020年全球半導體材料市場規模及情況
圖表9 2019-2020年全球半導體材料區域市場變化
圖表10 2021年全球半導體材料市場區域分布預測情況
圖表11 半導體材料主要應用于晶圓制造與封測環節
圖表12 2012-2020年中國半導體材料市場規模
圖表13 2017-2019年中國半導體材料細分市場結構
圖表14 2016-2019年國內企業半導體制造材料國產化率
圖表15 GaN器件產業鏈各環節及主要企業
圖表16 GaN外延用不同襯底的對比
圖表17 GaN器件主要產品與工藝技術
圖表18 GaN器件發展史
圖表19 氮化鎵行業政策發展歷程
圖表20 國家層面氮化鎵行業政策匯總
圖表21 地方層面氮化鎵行業政策匯總(一)
圖表22 地方層面氮化鎵行業政策匯總(二)
圖表23 31省市氮化鎵行業發展目標匯總
圖表24 國家集成電路產業發展綱要
圖表25 GaN器件適用于功率器件市場
圖表26 部分快充與無線充廠商產品布局統計表
圖表27 2016-2020年中國SiC、GaN電力電子產值
圖表28 2016-2020年中國GaN微波射頻產值
圖表29 截至2020年底中國氮化鎵(GaN)產能統計
圖表30 截至2021年全球氮化鎵行業技術來源國分布情況
圖表31 2010-2021年全球氮化鎵行業技術來源國專利申請量
圖表32 2010-2021年全球氮化鎵專利申請人集中度——CR10
圖表33 2021年全球氮化鎵行業專利申請數量TOP10申請人趨勢
圖表34 截止2021年全球氮化鎵行業專利申請數量TOP10申請人
圖表35 2021年全球氮化鎵行業專利申請數量TOP10申請人技術分布情況
圖表36 截至2021年全球氮化鎵行業市場價值最高TOP10專利的申請人
圖表37 2021年全球氮化鎵行業專利申請新進入者情況
圖表38 截止2021年中國當前申請省(市、自治區)氮化鎵專利數量TOP10
圖表39 2010-2021年中國氮化鎵行業專利地區申請趨勢
圖表40 2019年全球氮化鎵市場份額(按地區)
圖表41 氮化鎵功率器件市場集中度
圖表42 氮化鎵產業鏈境內外主要廠商
圖表43 截至2020年底中國GaN晶圓制造產線匯總
圖表44 快充市場熱門氮化鎵芯片品牌
圖表45 氮化鎵快充GaN控制芯片匯總
圖表46 主流USB PD快充充電器代工廠匯總(一)
圖表47 主流USB PD快充充電器代工廠匯總(二)
圖表48 主流USB PD快充充電器代工廠匯總(三)
圖表49 主流USB PD快充充電器代工廠匯總(四)
圖表50 主流USB PD快充充電器代工廠匯總(五)
圖表51 手機品牌氮化鎵快充匯總
圖表52 市售熱門氮化鎵快充充電器拆解匯總
圖表53 市售熱門氮化鎵快充充電器拆解匯總(續)
圖表54 LED的生產流程
圖表55 LED器件按封裝形式分類
圖表56 LED器件按應用領域分類
圖表57 2011-2020年中國LED行業整體市場規模
圖表58 2008-2020年中國LED芯片市場規模及增速
圖表59 2019-2021年中國發光二極管進出口總量
圖表60 2019-2021年中國發光二極管進出口總額
圖表61 2019-2021年中國發光二極管進出口(總量)結構
圖表62 2019-2021年中國發光二極管進出口(總額)結構
圖表63 2019-2021年中國發光二極管貿易逆差規模
圖表64 2019-2020年中國發光二極管進口區域分布
圖表65 2019-2020年中國發光二極管進口市場集中度(分國家)
圖表66 2020年主要貿易國發光二極管進口市場情況
圖表67 2021年主要貿易國發光二極管進口市場情況
圖表68 2019-2020年中國發光二極管出口區域分布
圖表69 2019-2020年中國發光二極管出口市場集中度(分國家)
圖表70 2020年主要貿易國發光二極管出口市場情況
圖表71 2021年主要貿易國發光二極管出口市場情況
圖表72 2019-2020年主要省市發光二極管進口市場集中度(分省市)
圖表73 2020年主要省市發光二極管進口情況
圖表74 2021年主要省市發光二極管進口情況
圖表75 2019-2020年中國發光二極管出口市場集中度(分省市)
圖表76 2020年主要省市發光二極管出口情況
圖表77 2021年主要省市發光二極管出口情況
圖表78 GaN FET SOA曲線示例
圖表79 電感硬開關測試電路
圖表80 Transphorm汽車級GaN FET產品示意圖
圖表81 2019-2021年中國激光器進出口總量
圖表82 2019-2021年中國激光器進出口總額
圖表83 2019-2021年中國激光器進出口(總量)結構
圖表84 2019-2021年中國激光器進出口(總額)結構
圖表85 2019-2021年中國激光器貿易逆差規模
圖表86 2019-2020年中國激光器進口區域分布
圖表87 2019-2020年中國激光器進口市場集中度(分國家)
圖表88 2020年主要貿易國激光器進口市場情況
圖表89 2021年主要貿易國激光器進口市場情況
圖表90 2019-2020年中國激光器出口區域分布
圖表91 2019-2020年中國激光器出口市場集中度(分國家)
圖表92 2020年主要貿易國激光器出口市場情況
圖表93 2021年主要貿易國激光器出口市場情況
圖表94 2019-2020年主要省市激光器進口市場集中度(分省市)
圖表95 2020年主要省市激光器進口情況
圖表96 2021年主要省市激光器進口情況
圖表97 2019-2020年中國激光器出口市場集中度(分省市)
圖表98 2020年主要省市激光器出口情況
圖表99 2021年主要省市激光器出口情況
圖表100 GaN材料體系(GaN、InGaN和AlGaN)將半導體激光器波長擴展到可見光和紫外波段
圖表101 具有Pd/Pt/Au的傳統GaN基激光器結構示意圖或具有ITO限制層的GaN基激光器結構示意圖
圖表102 (a)氮化鎵/藍寶石模板和(b)GaN自支撐襯底的位錯缺陷對比(圖中暗斑為位錯缺陷)
圖表103 (a)由于外延結構各層生長條件差異大導致藍光激光器結構中出現暗斑缺陷;(b)優化生長條件消除暗斑缺陷的激光器外延片
圖表104 以ITO代替部分p-AlGaN光限制層的復合激光器結構示意圖
圖表105 InGaN多量子阱激光器結構
圖表106 InGaN多量子阱脊型激光器結構
圖表107 藍激光在25℃下發射的連續激光光譜
圖表108 綠激光在閾值電流以下和以上的EL光譜
圖表109 二極管結構圖
圖表110 二極管的圖形符號
圖表111 硅二極管典型伏安特性曲線
圖表112 二極管的好壞判斷
圖表113 2019-2021年中國二極管進出口總量
圖表114 2019-2021年中國二極管進出口總額
圖表115 2019-2021年中國二極管進出口(總量)結構
圖表116 2019-2021年中國二極管進出口(總額)結構
圖表117 2019-2021年中國二極管貿易逆差規模
圖表118 2019-2020年中國二極管進口區域分布
圖表119 2019-2020年中國二極管進口市場集中度(分國家)
圖表120 2020年主要貿易國二極管進口市場情況
圖表121 2021年主要貿易國二極管進口市場情況
圖表122 2019-2020年中國二極管出口區域分布
圖表123 2019-2020年中國二極管出口市場集中度(分國家)
圖表124 2020年主要貿易國二極管出口市場情況
圖表125 2021年主要貿易國二極管出口市場情況
圖表126 2019-2020年主要省市二極管進口市場集中度(分省市)
圖表127 2020年主要省市二極管進口情況
圖表128 2021年主要省市二極管進口情況
圖表129 2019-2020年中國二極管出口市場集中度(分省市)
圖表130 2020年主要省市二極管出口情況
圖表131 2021年主要省市二極管出口情況
圖表132 2020年我國SiC、GaN電力電子器件下游應用領域
圖表133 2020年我國GaN射頻器件下游應用領域
圖表134 2019-2021年中國太陽能電池進出口總量
圖表135 2019-2021年中國太陽能電池進出口總額
圖表136 2019-2021年中國太陽能電池進出口(總量)結構
圖表137 2019-2021年中國太陽能電池進出口(總額)結構
圖表138 2019-2021年中國太陽能電池貿易順差規模
圖表139 2019-2020年中國太陽能電池進口區域分布
圖表140 2019-2020年中國太陽能電池進口市場集中度(分國家)
圖表141 2020年主要貿易國太陽能電池進口市場情況
圖表142 2021年主要貿易國太陽能電池進口市場情況
圖表143 2019-2020年中國太陽能電池出口區域分布
圖表144 2019-2020年中國太陽能電池出口市場集中度(分國家)
圖表145 2020年主要貿易國太陽能電池出口市場情況
圖表146 2021年主要貿易國太陽能電池出口市場情況
圖表147 2019-2020年主要省市太陽能電池進口市場集中度(分省市)
圖表148 2020年主要省市太陽能電池進口情況
圖表149 2021年主要省市太陽能電池進口情況
圖表150 2019-2020年中國太陽能電池出口市場集中度(分省市)
圖表151 2020年主要省市太陽能電池出口情況
圖表152 2021年主要省市太陽能電池出口情況
圖表153 InGaN材料帶隙對應的AM1.5太陽光譜的覆蓋
圖表154 量子阱區域結構設計對InGaN/GaN量子阱太陽能電池特性的影響
圖表155 光強和溫度對InGaN/GaN量子阱太陽電池性能的影響
圖表156 表面納米結構InGaN/GaN量子阱太陽能電池的性能特性
圖表157 具有反射鏡結構的InGaN/GaN量子阱太陽電池特性
圖表158 垂直InGaN/GaN量子阱太陽能電池結構圖
圖表159 垂直結構InGaN/GaN量子阱太陽能電池的性能特性
圖表160 GaN器件應用領域及電壓分布情況
圖表161 全國風電裝機容量分布圖
圖表162 截至2020年底全國十大電力裝機省份排行(風電)
圖表163 分布式發電、儲能及轉化系統
圖表164 電力電子在智能電網中的應用
圖表165 2020-2021年移動互聯網累計接入流量及增速情況
圖表166 2020-2021年移動互聯網接入月流量及戶均流量(DOU)情況
圖表167 2020-2021年移動電話用戶增速和通話時長增速
圖表168 2020-2021年移動短信業務量和收入同比增長情況
圖表169 2019-2021年互聯網寬帶接入端口數發展情況
圖表170 2015-2020年移動電話基站發展情況
圖表171 2019-2021年光纜線路總長度發展情況
圖表172 2018-2019財年MACOM綜合收益表
圖表173 2018-2019財年MACOM分部資料
圖表174 2018-2019財年MACOM收入分地區資料
圖表175 2019-2020財年MACOM綜合收益表
圖表176 2019-2020財年MACOM分部資料
圖表177 2019-2020財年MACOM收入分地區資料
圖表178 2020-2021財年MACOM綜合收益表
圖表179 2018-2019財年科沃綜合收益表
圖表180 2018-2019財年科沃分部資料
圖表181 2018-2019財年科沃收入分地區資料
圖表182 2019-2020財年科沃綜合收益表
圖表183 2019-2020財年科沃分部資料
圖表184 2019-2020財年科沃收入分地區資料
圖表185 2020-2021財年科沃綜合收益表
圖表186 2020-2021財年科沃分部資料
圖表187 2020-2021財年科沃收入分地區資料
圖表188 2018-2019年雷神綜合收益表
圖表189 2018-2019年雷神分部資料
圖表190 2018-2019年雷神收入分地區資料
圖表191 2019-2020年雷神科技公司綜合收益表
圖表192 2019-2020年雷神科技公司分部資料
圖表193 2019-2020年雷神科技公司收入分地區資料
圖表194 2020-2021年雷神科技公司綜合收益表
圖表195 2020-2021年雷神科技公司分部資料
圖表196 2020-2021年雷神科技公司收入分地區資料
圖表197 2018-2019財年恩智浦綜合收益表
圖表198 2018-2019財年恩智浦分部資料
圖表199 2018-2019財年恩智浦收入分地區資料
圖表200 2019-2020財年恩智浦綜合收益表
圖表201 2019-2020財年恩智浦分部資料
圖表202 2019-2020財年恩智浦收入分地區資料
圖表203 2020-2021財年恩智浦綜合收益表
圖表204 2020-2021財年恩智浦分部資料
圖表205 2020-2021財年恩智浦收入分地區資料
圖表206 2018-2019財年英飛凌科技公司綜合收益表
圖表207 2018-2019財年英飛凌科技公司分部資料
圖表208 2018-2019財年英飛凌科技公司收入分地區資料
圖表209 2019-2020財年英飛凌科技公司綜合收益表
圖表210 2019-2020財年英飛凌科技公司分部資料
圖表211 2019-2020財年英飛凌科技公司收入分地區資料
圖表212 2020-2021財年英飛凌科技公司綜合收益表
圖表213 2020-2021財年英飛凌科技公司分部資料
圖表214 2020-2021財年英飛凌科技公司收入分地區資料
圖表215 2018-2021年三安光電股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表216 2018-2021年三安光電股份有限公司營業收入及增速
圖表217 2018-2021年三安光電股份有限公司凈利潤及增速
圖表218 2020年三安光電股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表219 2020-2021年三安光電股份有限公司營業收入情況
圖表220 2018-2021年三安光電股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表221 2018-2021年三安光電股份有限公司凈資產收益率
圖表222 2018-2021年三安光電股份有限公司短期償債能力指標
圖表223 2018-2021年三安光電股份有限公司資產負債率水平
圖表224 2018-2021年三安光電股份有限公司運營能力指標
圖表225 2018-2021年杭州士蘭微電子股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表226 2018-2021年杭州士蘭微電子股份有限公司營業收入及增速
圖表227 2018-2021年杭州士蘭微電子股份有限公司凈利潤及增速
圖表228 2020年杭州士蘭微電子股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表229 2021年杭州士蘭微電子股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表230 2018-2021年杭州士蘭微電子股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表231 2018-2021年杭州士蘭微電子股份有限公司凈資產收益率
圖表232 2018-2021年杭州士蘭微電子股份有限公司短期償債能力指標
圖表233 2018-2021年杭州士蘭微電子股份有限公司資產負債率水平
圖表234 2018-2021年杭州士蘭微電子股份有限公司運營能力指標
圖表235 2018-2021年四川海特高新技術股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表236 2018-2021年四川海特高新技術股份有限公司營業收入及增速
圖表237 2018-2021年四川海特高新技術股份有限公司凈利潤及增速
圖表238 2019-2020年四川海特高新技術股份有限公司營業收入分行業、產品、地區
圖表239 2020-2021年四川海特高新技術股份有限公司營業收入分行業、產品、地區
圖表240 2018-2021年四川海特高新技術股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表241 2018-2021年四川海特高新技術股份有限公司凈資產收益率
圖表242 2018-2021年四川海特高新技術股份有限公司短期償債能力指標
圖表243 2018-2021年四川海特高新技術股份有限公司資產負債率水平
圖表244 2018-2021年四川海特高新技術股份有限公司運營能力指標
圖表245 2017-2019年中國第三代半導體產業投資金額
圖表246 2015-2019年各區域項目投資分布情況
圖表247 GaN符合5G基站建設趨勢
圖表248 中投顧問對2022-2026年中國第三代半導體產業電力電子和射頻電子總產值預測
圖表249 中投顧問對2022-2026年中國SiC、GaN電力電子產值規模預測
圖表250 中投顧問對2022-2026年中國GaN微波射頻產值規模預測

氮化鎵(GaN)是直接寬帶隙半導體材料,屬于第三代半導體。與前兩半導體材料相比,第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力,滿足現代電子技術對半導體材料提出的高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要求,更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。

氮化鎵如今被定位成涵蓋了從無線基站到射頻能量等商業射頻領域的主流應用,它從一項高深的技術發展為市場的中流砥柱,這一發展歷程融合了多種因素,是其一致發揮作用的結果。氮化鎵的性能優勢曾經一度因高成本而被抵消,最近,其憑借在硅基氮化鎵技術、供應鏈優化、器件封裝技術以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出,成為大多數射頻應用中可替代砷化鎵和LDMOS的最具成本競爭優勢的材料。

目前第三代半導體器件已經迅速進入了新能源汽車、光伏逆變、5G基站、PD快充等應用領域,碳化硅主要應用在新能源汽車和工控等領域,氮化鎵器件主要應用在5G基站等領域。2020年我國第三代半導體產業電力電子和射頻電子總產值超過100億元,同比增長69.5%。其中,SiC、GaN電力電子產值規模達44.7億元,同比增長54%;GaN微波射頻產值達到60.8億元,同比增長80.3%。

在財稅政策方面,第三代半導體同屬于集成電路產業,同樣享受國家對集成電路企業所得稅優惠政策,先后包括2019年5月財政部及稅務總局印發的《關于集成電路設計和軟件產業企業所得稅政策的公告》,針對依法成立且符合條件的集成電路設計企業和軟件企業,在2018年12月31日前自獲利年度起計算優惠期,第一年至第二年免征企業所得稅,第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業所得稅,并享受至期滿為止;并在2020年7月再次推出《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》,對于國家鼓勵的集成電路設計、裝備、材料、封裝、測試企業和軟件企業,自獲利年度起,第一年至第二年免征企業所得稅,第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業所得稅。2021年3月,《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》印發,在“集成電路”領域,特別提到碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發展。

中投產業研究院發布的《2022-2026年中國氮化鎵(GaN)產業深度調研及投資前景預測報告》共九章。首先介紹了氮化鎵的概念、特性、制備方法等,接著分析了半導體材料和氮化鎵產業的整體發展狀況。然后報告從企業競爭、市場主要類型、應用領域、國內外企業等方面對氮化鎵行業進行了系統解析,最后報告對氮化鎵產業的投資潛力及發展前景進行了科學的預測。

本研究報告數據主要來自于國家統計局、國家海關總署、商務部、財政部、工信部、中投產業研究院、中投產業研究院市場調查中心以及國內外重點刊物等渠道,數據權威、詳實、豐富,同時通過專業的分析預測模型,對行業核心發展指標進行科學地預測。您或貴單位若想對氮化鎵產業有個系統深入的了解、或者想投資該行業,本報告將是您不可或缺的重要參考工具。

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