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2021-2025年中國氮化鎵(GaN)產業深度調研及投資前景預測報告

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十四五將是中國技術和產業升級的關鍵期,重點機會有哪些?
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報告目錄內容概述 定制報告

第一章 氮化鎵相關概述
1.1 氮化鎵基本介紹
1.1.1 氮化鎵基本概念
1.1.2 氮化鎵形成階段
1.1.3 氮化鎵性能優勢
1.1.4 氮化鎵半導體作用
1.2 氮化鎵材料的特性
1.2.1 結構特性
1.2.2 化學特性
1.2.3 光學特性
1.2.4 電學性質
1.2.5 磁學特性
1.3 氮化鎵的制備方法
1.3.1 金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)技術
1.3.2 分子束外延(MBE)技術
1.3.3 氫化物氣相外延(HVPE)技術
1.3.4 懸空外延技術(Pendeo-epitaxy)
第二章 2019-2021年半導體材料行業發展綜述
2.1 半導體材料相關概述
2.1.1 第一代半導體材料
2.1.2 第二代半導體材料
2.1.3 第三代半導體材料
2.1.4 半導體材料的應用
2.2 2019-2021年全球半導體材料發展狀況
2.2.1 市場銷售規模
2.2.2 區域分布狀況
2.2.3 細分市場結構
2.2.4 市場競爭狀況
2.3 2019-2021年中國半導體材料行業運行狀況
2.3.1 應用環節分析
2.3.2 產業支持政策
2.3.3 市場銷售規模
2.3.4 細分市場結構
2.3.5 企業發展動態
2.3.6 國產替代進程
2.4 中國半導體材料行業存在的問題及發展對策
2.4.1 行業發展滯后
2.4.2 產品同質化問題
2.4.3 供應鏈不完善
2.4.4 行業發展建議
2.4.5 行業發展思路
2.5 半導體材料產業未來發展前景展望
2.5.1 行業發展趨勢
2.5.2 行業需求分析
2.5.3 行業前景分析
第三章 2019-2021年氮化鎵產業發展深度分析
3.1 氮化鎵產業發展綜述
3.1.1 產業鏈條分析
3.1.2 產業發展歷程
3.1.3 產業支持政策
3.1.4 國產化將加速
3.2 2019-2021年氮化鎵市場發展狀況
3.2.1 氮化鎵市場發展現狀
3.2.2 氮化鎵市場需求狀況
3.2.3 氮化鎵廠商布局狀況
3.2.4 氮化鎵市場競爭格局
3.2.5 氮化鎵應用領域分析
3.2.6 氮化鎵產業鏈供應商
3.2.7 氮化鎵區域集聚發展
3.2.8 氮化鎵器件發展瓶頸
3.3 氮化鎵產業技術及研發狀況
3.3.1 產業自主創新
3.3.2 產業研發進展
3.3.3 技術專利分析
第四章 2019-2021年氮化鎵器件主要類型發展分析
4.1 發光二極管(LED)
4.1.1 發光二極管(LED)發展概述
4.1.2 發光二極管(LED)市場發展現狀
4.1.3 發光二極管(LED)進出口數據分析
4.1.4 氮化鎵基藍綠光LED發展歷程
4.1.5 氮化鎵在LED領域的技術突破
4.2 場效應晶體管(FET)
4.2.1 場效應晶體管(FET)發展概述
4.2.2 GaN FET與硅FET的比較分析
4.2.3 GaN FET產品的應用情況
4.2.4 GaN FET產品研發進展
4.3 激光二極管(LD)
4.3.1 激光二極管(LD)發展概述
4.3.2 激光二極管(LD)背景技術
4.3.3 激光器進出口市場數據分析
4.3.4 GaN基激光器發展概況分析
4.3.5 GaN基激光器應用狀況分析
4.3.6 GaN基激光器技術發展情況
4.3.7 GaN基激光器發展前景展望
4.4 二極管(Diodes)
4.4.1 二極管(Diodes)發展概述
4.4.2 二極管進出口市場數據分析
4.4.3 氮化鎵二極管技術發展狀況
4.5 射頻器件(RF)
4.5.1 射頻器件(RF)發展概述
4.5.2 GaN射頻器件市場發展狀況
4.5.3 GaN射頻元件企業發展分析
4.6 太陽能電池(Solar Cells)
4.6.1 2019-2021年中國太陽能電池進出口數據分析
4.6.2 InGaN/GaN量子阱結構太陽能電池發展概述
4.6.3 InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
4.6.4 InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
4.6.5 InGaN/GaN量子阱結構太陽能電池發展展望
第五章 2019-2021年氮化鎵應用領域分析
5.1 氮化鎵在電力電子產業的應用
5.1.1 電力電子器件產業發展意義
5.1.2 GaN應用在電力電子領域的優勢
5.1.3 GaN電力電子器件產品分析
5.1.4 GaN電力電子器件分布情況
5.1.5 GaN組件商品化帶來的機遇
5.1.6 電力電子器件市場未來發展方向
5.2 氮化鎵在新能源產業的應用
5.2.1 新能源行業相關政策支持
5.2.2 新能源行業整體發展形勢
5.2.3 新能源發電建設和運行情況
5.2.4 GaN大功率器件需求潛力
5.3 氮化鎵在智能電網產業的應用
5.3.1 發展智能電網的重要意義
5.3.2 智能電力設備發展分析
5.3.3 智能電力設備關鍵技術
5.3.4 GaN大功率器件需求潛力
5.4 氮化鎵在通訊設備產業的應用
5.4.1 通訊設備市場需求分析
5.4.2 通訊設備制造業運行分析
5.4.3 GaN大功率器件需求潛力
5.5 氮化鎵其他領域應用分析
5.5.1 GaN在4C產業的應用
5.5.2 GaN在無線基站領域應用
5.5.3 GaN在紫外探測領域的應用
5.5.4 GaN在紅外探測領域的應用
5.5.5 GaN在壓力傳感器中的應用
5.5.6 GaN在生物化學探測領域的應用
第六章 2019-2021年國際氮化鎵產業重點企業經營狀況分析
6.1 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
6.1.1 企業發展概況
6.1.2 企業經營狀況
6.1.3 企業產品動態
6.2 科沃(Qorvo, Inc.)
6.2.1 企業發展概況
6.2.2 企業經營狀況
6.2.3 企業產品開發
6.3 雷神科技公司(Raytheon Technologies Corp.)
6.3.1 企業發展概況
6.3.2 企業經營狀況
6.3.3 企業發展動態
6.4 恩智浦(NXP Semiconductors N.V.)
6.4.1 企業發展概況
6.4.2 企業經營狀況
6.4.3 企業產品發布
6.4.4 項目建設動態
6.5 英飛凌科技公司(Infineon Technologies AG)
6.5.1 企業發展概況
6.5.2 企業經營狀況
6.5.3 企業產品動態
第七章 2019-2021年中國氮化鎵產業重點企業經營狀況分析
7.1 蘇州納維科技有限公司
7.1.1 企業發展概況
7.1.2 企業主營業務
7.1.3 企業發展成就
7.2 蘇州能訊高能半導體有限公司
7.2.1 企業發展概況
7.2.2 企業發展成就
7.2.3 企業項目進展
7.3 東莞市中鎵半導體科技有限公司
7.3.1 企業發展概況
7.3.2 企業人才隊伍
7.3.3 企業獲得榮譽
7.3.4 公司專利技術
7.3.5 企業發展規劃
7.4 三安光電股份有限公司
7.4.1 企業發展概況
7.4.2 經營效益分析
7.4.3 業務經營分析
7.4.4 財務狀況分析
7.4.5 核心競爭力分析
7.4.6 公司發展戰略
7.4.7 未來前景展望
7.5 杭州士蘭微電子股份有限公司
7.5.1 企業發展概況
7.5.2 經營效益分析
7.5.3 業務經營分析
7.5.4 財務狀況分析
7.5.5 核心競爭力分析
7.5.6 公司發展戰略
7.5.7 未來前景展望
7.6 四川海特高新技術股份有限公司
7.6.1 企業發展概況
7.6.2 經營效益分析
7.6.3 業務經營分析
7.6.4 財務狀況分析
7.6.5 核心競爭力分析
7.6.6 公司發展戰略
7.6.7 未來前景展望
第八章 2021-2025年氮化鎵產業投資分析及前景預測
8.1 氮化鎵產業投資潛力分析
8.1.1 產業投資機會
8.1.2 企業并購案例
8.1.3 企業并購金額
8.1.4 投資擴產狀況
8.1.5 區域投資分布
8.2 氮化鎵產業發展前景展望
8.2.1 產業發展前景
8.2.2 市場應用潛力
8.2.3 市場發展機遇
8.3 中投顧問對2021-2025年中國氮化鎵市場預測分析
8.3.1 2021-2025年中國氮化鎵市場影響因素分析
8.3.2 2021-2025年中國GaN領域投資額預測

圖表目錄

圖表1 半導體發展歷程
圖表2 硅、砷化鎵、氮化鎵主要電學性質參數比較
圖表3 半導體材料性能比較
圖表4 砷化鎵/氮化鎵半導體的作用
圖表5 纖鋅礦結構和閃鋅礦結構兩種結構的結構特性
圖表6 三代半導體材料常溫下部分性質
圖表7 半導體材料的主要應用
圖表8 2016-2019年全球半導體材料銷售額及增速
圖表9 2019年全球半導體材料區域市場變化
圖表10 2016-2019年全球半導體材料細分市場結構
圖表11 2018年全球前五大硅晶圓供應商概況
圖表12 半導體材料主要應用于晶圓制造與封測環節
圖表13 2019年部分地區半導體材料相關布局
圖表14 2017-2019年中國半導體材料市場規模
圖表15 2017-2019年中國半導體材料細分市場結構
圖表16 2016-2019年國內企業半導體制造材料國產化率
圖表17 GaN器件產業鏈各環節及主要企業
圖表18 GaN外延用不同襯底的對比
圖表19 GaN器件主要產品與工藝技術
圖表20 GaN器件發展史
圖表21 第三代半導體國家級支持政策
圖表22 第三代半導體地方支持政策
圖表23 部分“十三五”重點研發技術
圖表24 國家集成電路產業發展綱要
圖表25 GaN器件適用于功率器件市場
圖表26 部分快充與無線充廠商產品布局統計表
圖表27 2018年國內第三代半導體集聚區建設進展(一)
圖表28 2018年國內第三代半導體集聚區建設進展(二)
圖表29 2018年8英寸Si基GaN外延片及器件研發進展
圖表30 GaN-on-Si光電、功率和射頻應用領域的關鍵專利權人
圖表31 按應用細分的GaN-on-Si專利申請趨勢
圖表32 電力電子領域的GaN-on-Si專利領導者
圖表33 LED的生產流程
圖表34 LED器件按封裝形式分類
圖表35 LED器件按應用領域分類
圖表36 2006-2019年我國LED產業產值規模走勢圖
圖表37 2006-2019年我國LED產業細分領域產值規模走勢圖
圖表38 2010-2019年我國LED產業下游應用領域規模統計圖
圖表39 2010-2019年我國LED產業下游應用市場結構變動趨勢
圖表40 2011-2019年我國LED產業下游應用市場規模增速對比
圖表41 2013-2018年中國LED芯片行業產值規模持續增長
圖表42 2018-2020年中國發光二極管進出口總量
圖表43 2018-2020年中國發光二極管進出口總額
圖表44 2018-2020年中國發光二極管進出口(總量)結構
圖表45 2018-2020年中國發光二極管進出口(總額)結構
圖表46 2018-2020年中國發光二極管貿易逆差規模
圖表47 2018-2019年中國發光二極管進口區域分布
圖表48 2018-2020年中國發光二極管進口市場集中度(分國家)
圖表49 2019年主要貿易國發光二極管進口市場情況
圖表50 2020年主要貿易國發光二極管進口市場情況
圖表51 2018-2019年中國發光二極管出口區域分布
圖表52 2018-2020年中國發光二極管出口市場集中度(分國家)
圖表53 2019年主要貿易國發光二極管出口市場情況
圖表54 2020年主要貿易國發光二極管出口市場情況
圖表55 2018-2020年主要省市發光二極管進口市場集中度(分省市)
圖表56 2019年主要省市發光二極管進口情況
圖表57 2020年主要省市發光二極管進口情況
圖表58 2018-2020年中國發光二極管出口市場集中度(分省市)
圖表59 2019年主要省市發光二極管出口情況
圖表60 2020年主要省市發光二極管出口情況
圖表61 GaN FET SOA曲線示例
圖表62 電感硬開關測試電路
圖表63 Transphorm汽車級GaN FET產品示意圖
圖表64 2018-2020年中國激光器進出口總量
圖表65 2018-2020年中國激光器進出口總額
圖表66 2018-2020年中國激光器進出口(總量)結構
圖表67 2018-2020年中國激光器進出口(總額)結構
圖表68 2018-2020年中國激光器貿易逆差規模
圖表69 2018-2019年中國激光器進口區域分布
圖表70 2018-2020年中國激光器進口市場集中度(分國家)
圖表71 2019年主要貿易國激光器進口市場情況
圖表72 2020年主要貿易國激光器進口市場情況
圖表73 2018-2019年中國激光器出口區域分布
圖表74 2018-2020年中國激光器出口市場集中度(分國家)
圖表75 2019年主要貿易國激光器出口市場情況
圖表76 2020年主要貿易國激光器出口市場情況
圖表77 2018-2020年主要省市激光器進口市場集中度(分省市)
圖表78 2019年主要省市激光器進口情況
圖表79 2020年主要省市激光器進口情況
圖表80 2018-2020年中國激光器出口市場集中度(分省市)
圖表81 2019年主要省市激光器出口情況
圖表82 2020年主要省市激光器出口情況
圖表83 GaN材料體系(GaN、InGaN和AlGaN)將半導體激光器波長擴展到可見光和紫外波段
圖表84 具有Pd/Pt/Au的傳統GaN基激光器結構示意圖或具有ITO限制層的GaN基激光器結構示意圖
圖表85 (a)氮化鎵/藍寶石模板和(b)GaN自支撐襯底的位錯缺陷對比(圖中暗斑為位錯缺陷)
圖表86 (a)由于外延結構各層生長條件差異大導致藍光激光器結構中出現暗斑缺陷;(b)優化生長條件消除暗斑缺陷的激光器外延片
圖表87 以ITO代替部分p-AlGaN光限制層的復合激光器結構示意圖
圖表88 InGaN多量子阱激光器結構
圖表89 InGaN多量子阱脊型激光器結構
圖表90 藍激光在25℃下發射的連續激光光譜
圖表91 綠激光在閾值電流以下和以上的EL光譜
圖表92 二極管結構圖
圖表93 二極管的圖形符號
圖表94 硅二極管典型伏安特性曲線
圖表95 二極管的好壞判斷
圖表96 2018-2020年中國二極管進出口總額
圖表97 2018-2020年中國二極管進出口結構
圖表98 2018-2020年中國二極管貿易逆差規模
圖表99 2018-2019年中國二極管進口區域分布
圖表100 2018-2020年中國二極管進口市場集中度(分國家)
圖表101 2019年主要貿易國二極管進口市場情況
圖表102 2020年主要貿易國二極管進口市場情況
圖表103 2018-2019年中國二極管出口區域分布
圖表104 2018-2020年中國二極管出口市場集中度(分國家)
圖表105 2019年主要貿易國二極管出口市場情況
圖表106 2020年主要貿易國二極管出口市場情況
圖表107 2018-2020年主要省市二極管進口市場集中度(分省市)
圖表108 2019年主要省市二極管進口情況
圖表109 2020年主要省市二極管進口情況
圖表110 2018-2020年中國二極管出口市場集中度(分省市)
圖表111 2019年主要省市二極管出口情況
圖表112 2020年主要省市二極管出口情況
圖表113 2018-2020年中國太陽能電池進出口總量
圖表114 2018-2020年中國太陽能電池進出口總額
圖表115 2018-2020年中國太陽能電池進出口(總量)結構
圖表116 2018-2020年中國太陽能電池進出口(總額)結構
圖表117 2018-2020年中國太陽能電池貿易順差規模
圖表118 2018-2019年中國太陽能電池進口區域分布
圖表119 2018-2020年中國太陽能電池進口市場集中度(分國家)
圖表120 2019年主要貿易國太陽能電池進口市場情況
圖表121 2020年主要貿易國太陽能電池進口市場情況
圖表122 2018-2019年中國太陽能電池出口區域分布
圖表123 2018-2020年中國太陽能電池出口市場集中度(分國家)
圖表124 2019年主要貿易國太陽能電池出口市場情況
圖表125 2020年主要貿易國太陽能電池出口市場情況
圖表126 2018-2020年主要省市太陽能電池進口市場集中度(分省市)
圖表127 2019年主要省市太陽能電池進口情況
圖表128 2020年主要省市太陽能電池進口情況
圖表129 2018-2020年中國太陽能電池出口市場集中度(分省市)
圖表130 2019年主要省市太陽能電池出口情況
圖表131 2020年主要省市太陽能電池出口情況
圖表132 InGaN材料帶隙對應的AM1.5太陽光譜的覆蓋
圖表133 量子阱區域結構設計對InGaN/GaN量子阱太陽能電池特性的影響
圖表134 光強和溫度對InGaN/GaN量子阱太陽電池性能的影響
圖表135 表面納米結構InGaN/GaN量子阱太陽能電池的性能特性
圖表136 具有反射鏡結構的InGaN/GaN量子阱太陽電池特性
圖表137 垂直InGaN/GaN量子阱太陽能電池結構圖
圖表138 垂直結構InGaN/GaN量子阱太陽能電池的性能特性
圖表139 GaN晶體管性能分析
圖表140 2018年GaN功率半導體新產品
圖表141 2018年GaN功率模塊新產品
圖表142 GaN器件應用領域及電壓分布情況
圖表143 全國風電裝機容量分布圖
圖表144 截至2020年底全國十大電力裝機省份排行(風電)
圖表145 分布式發電、儲能及轉化系統
圖表146 電力電子在智能電網中的應用
圖表147 2010-2020年固定電話及移動電話普及率發展情況
圖表148 2020年各省移動電話普及率情況
圖表149 2019年和2020年固定互聯網寬帶各接入速率用戶占比情況
圖表150 2015-2020年農村寬帶接入用戶及占比情況
圖表151 2015-2020年互聯網寬帶接入端口發展情況
圖表152 2015-2020年移動電話基站發展情況
圖表153 2018-2019財年MACOM綜合收益表
圖表154 2018-2019財年MACOM分部資料
圖表155 2018-2019財年MACOM收入分地區資料
圖表156 2019-2020財年MACOM綜合收益表
圖表157 2019-2020財年MACOM分部資料
圖表158 2019-2020財年MACOM收入分地區資料
圖表159 2020-2021財年MACOM綜合收益表
圖表160 2020-2021財年MACOM分部資料
圖表161 2020-2021財年MACOM收入分地區資料
圖表162 2018-2019財年科沃綜合收益表
圖表163 2018-2019財年科沃分部資料
圖表164 2018-2019財年科沃收入分地區資料
圖表165 2019-2020財年科沃綜合收益表
圖表166 2019-2020財年科沃分部資料
圖表167 2019-2020財年科沃收入分地區資料
圖表168 2020-2021財年科沃綜合收益表
圖表169 2020-2021財年科沃分部資料
圖表170 2020-2021財年科沃收入分地區資料
圖表171 2017-2018年雷神綜合收益表
圖表172 2017-2018年雷神分部資料
圖表173 2017-2018年雷神收入分地區資料
圖表174 2018-2019年雷神綜合收益表
圖表175 2018-2019年雷神分部資料
圖表176 2018-2019年雷神收入分地區資料
圖表177 2019-2020年雷神科技公司綜合收益表
圖表178 2019-2020年雷神科技公司分部資料
圖表179 2019-2020年雷神科技公司收入分地區資料
圖表180 2017-2018財年恩智浦綜合收益表
圖表181 2017-2018財年恩智浦分部資料
圖表182 2017-2018財年恩智浦收入分地區資料
圖表183 2018-2019財年恩智浦綜合收益表
圖表184 2018-2019財年恩智浦分部資料
圖表185 2018-2019財年恩智浦收入分地區資料
圖表186 2019-2020財年恩智浦綜合收益表
圖表187 2019-2020財年恩智浦分部資料
圖表188 2019-2020財年恩智浦收入分地區資料
圖表189 2018-2019財年英飛凌科技公司綜合收益表
圖表190 2018-2019財年英飛凌科技公司分部資料
圖表191 2018-2019財年英飛凌科技公司收入分地區資料
圖表192 2019-2020財年英飛凌科技公司綜合收益表
圖表193 2019-2020財年英飛凌科技公司分部資料
圖表194 2019-2020財年英飛凌科技公司收入分地區資料
圖表195 2020-2021財年英飛凌科技公司綜合收益表
圖表196 2020-2021財年英飛凌科技公司分部資料
圖表197 2020-2021財年英飛凌科技公司收入分地區資料
圖表198 2017-2020年三安光電股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表199 2017-2020年三安光電股份有限公司營業收入及增速
圖表200 2017-2020年三安光電股份有限公司凈利潤及增速
圖表201 2019年三安光電股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表202 2019-2020年三安光電股份有限公司營業收入情況
圖表203 2017-2020年三安光電股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表204 2017-2020年三安光電股份有限公司凈資產收益率
圖表205 2017-2020年三安光電股份有限公司短期償債能力指標
圖表206 2017-2020年三安光電股份有限公司資產負債率水平
圖表207 2017-2020年三安光電股份有限公司運營能力指標
圖表208 2017-2020年杭州士蘭微電子股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表209 2017-2020年杭州士蘭微電子股份有限公司營業收入及增速
圖表210 2017-2020年杭州士蘭微電子股份有限公司凈利潤及增速
圖表211 2019年杭州士蘭微電子股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表212 2020年杭州士蘭微電子股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表213 2017-2020年杭州士蘭微電子股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表214 2017-2020年杭州士蘭微電子股份有限公司凈資產收益率
圖表215 2017-2020年杭州士蘭微電子股份有限公司短期償債能力指標
圖表216 2017-2020年杭州士蘭微電子股份有限公司資產負債率水平
圖表217 2017-2020年杭州士蘭微電子股份有限公司運營能力指標
圖表218 2017-2020年四川海特高新技術股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表219 2017-2020年四川海特高新技術股份有限公司營業收入及增速
圖表220 2017-2020年四川海特高新技術股份有限公司凈利潤及增速
圖表221 2018-2019年四川海特高新技術股份有限公司營業收入分行業、產品、地區
圖表222 2019-2020年四川海特高新技術股份有限公司營業收入分行業、產品、地區
圖表223 2017-2020年四川海特高新技術股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表224 2017-2020年四川海特高新技術股份有限公司凈資產收益率
圖表225 2017-2020年四川海特高新技術股份有限公司短期償債能力指標
圖表226 2017-2020年四川海特高新技術股份有限公司資產負債率水平
圖表227 2017-2020年四川海特高新技術股份有限公司運營能力指標
圖表228 2018年國際第三代半導體行業SiC和GaN領域并購情況(一)
圖表229 2018年國際第三代半導體行業SiC和GaN領域并購情況(二)
圖表230 2017-2019年中國第三代半導體產業投資金額
圖表231 2015-2019年各區域項目投資分布情況
圖表232 GaN符合5G基站建設趨勢
圖表233 中投顧問對2021-2025年中國GaN領域投資額預測

氮化鎵(GaN)是直接寬帶隙半導體材料,屬于第三代半導體。與前兩半導體材料相比,第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力,滿足現代電子技術對半導體材料提出的高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要求,更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。

氮化鎵如今被定位成涵蓋了從無線基站到射頻能量等商業射頻領域的主流應用,它從一項高深的技術發展為市場的中流砥柱,這一發展歷程融合了多種因素,是其一致發揮作用的結果。氮化鎵的性能優勢曾經一度因高成本而被抵消,最近,其憑借在硅基氮化鎵技術、供應鏈優化、器件封裝技術以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出,成為大多數射頻應用中可替代砷化鎵和LDMOS的最具成本競爭優勢的材料。

2019年,我國原生鎵產量356.6噸,同比降低11.7%;消費量262噸,基本與2018年持平。同時,我國原生鎵產量和消費量分別占全球的95.2%和48.9%。國內第三代半導體投資額不斷增長,2017-2019年SiC和GaN投資額共計521.8億元,其中SiC領域投資額2017-2019年分別是65億元/60億元/220.8億元,三年累計投資345.8億元,GaN領域投資額2017-2019年分別是19億元/112億元/45億元,三年累計投資176億元。在新基建的引領下,第三代半導體產業將成為未來半導體產業發展的重要引擎。

2018年7月,國內首個《第三代半導體電力電子技術路線圖》正式發布。路線圖主要從襯底/外延/器件、封裝/模塊、SiC應用、GaN應用等四個方面展開論述,提出了中國發展第三代半導體電力電子技術的路徑建議和對未來產業發展的預測。2019年11月工信部印發《重點新材料首批次應用示范指導目錄》,其中GaN單晶襯底、功率器件用GaN外延片、SiC外延片,SiC單晶襯底等第三代半導體產品進入目錄;2019年12月國務院在《長江三角洲區域一體化發展規劃綱要》中明確要求加快培育布局第三代半導體產業,推動制造業高質量發展。在5G、新能源汽車、能源互聯網、軌道交通、國防軍備等下游應用領域快速發展帶動下,第三代半導體產業將成為未來半導體產業發展的重要引擎,這也將帶動GaN產業的發展。

中投產業研究院發布的《2021-2025年中國氮化鎵(GaN)產業深度調研及投資前景預測報告》共八章。首先介紹了氮化鎵的概念、特性、制備方法等,接著分析了半導體材料和氮化鎵產業的整體發展狀況。然后報告從主要類型、應用領域、國內外企業等方面對氮化鎵行業進行了系統解析,最后報告對氮化鎵產業的投資潛力及發展前景進行了科學的預測。

本研究報告數據主要來自于國家統計局、國家海關總署、商務部、財政部、工信部、中投產業研究院、中投產業研究院市場調查中心以及國內外重點刊物等渠道,數據權威、詳實、豐富,同時通過專業的分析預測模型,對行業核心發展指標進行科學地預測。您或貴單位若想對氮化鎵產業有個系統深入的了解、或者想投資該行業,本報告將是您不可或缺的重要參考工具。

本報告目錄與內容系中投顧問原創,未經中投顧問書面許可及授權,拒絕任何形式的復制、轉載,謝謝!

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